Исследованы температурные и концентрационные зависимости удельного сопротивления и коэффициента термоэдс сильно легированного и сильно компенсированного полупроводникового твердого раствора ZrNiSn1-xInx в диапазоне температур T=80-380 K и диапазоне концентраций x=0.005-0.15. Высказано предположение, что полупроводник ZrNiSn, сильно легированный акцепторной примесью In, является аморфным полупроводником. Экспериментально установлена пропорциональная зависимость между параметрами флуктуации зон непрерывных энергий, глубиной флуктуации и глубиной потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации. Впервые экспериментально подтвержден вывод Б.И. Шкловского и А.Л. Эфроса [ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)] о том, что в сильно легированном и полностью компенсированном полупроводнике максимальная амплитуда флуктуации зон непрерывных энергий равна половине ширины запрещенной зоны полупроводника, а уровень Ферми располагается посредине запрещенной зоны. PACS. 71.20.Nr, 72.20.Pa
В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, М.Г. Шеляпина, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурин, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко. ФТП, 40 (2), 136 (2006)
Yu.V. Stadnyk, V.A. Romaka, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, D. Fruchart, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 400, 29 (2005)
В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.К. Гореленко, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (6), 676 (2006)
D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 438, 8 (2007)
V.A. Romaka, M.G. Shelyapina, D. Fruchart, Yu.K. Gorelenko, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, V.F. Chekurin, A.M. Goryn. Ukr. J. Phys., 52 (1), 39 (2007)
В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (7), 796 (2006)
L.P. Romaka, M.G. Shelyapina, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, V.A. Romaka. J. Alloys Comp., 416, 46 (2006)
Yu.V. Stadnyk, V.A. Romaka, M.G. Shelyapina, D. Fruchart, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, A.V. Tkachuk, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 421, 19 (2006)
V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, J. Tobola, Yu.K. Gorelenko, L.P.. Romaka, V.F. Chekurin, А.М. Goryn. Ukr. J. Phys., 52 (5), 453 (2007)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972).
Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis, Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12th European Crystallographic Meeting. Collected Abstract (M., Nauka, 1989) p. 155.