Посвящена экспериментальному изучению механизмов проводимости в тонких пленках широкозонных полимеров, входящих в состав гетероструктур на основе кремния. В качестве основного метода было выбрано измерение температурной зависимости вольт-амперных характеристик образцов в интервале 80-300 K. Для измерений были приготовлены многослойные структуры: Si-SiO2--полимер--металл. В качестве полимерного слоя были использованы пленки полидифениленфталида, в которых наблюдается переход из диэлектрического в высокопроводящее состояние. На основе полученных результатов особенности переноса заряда в исследованных образцах можно объяснить в рамках моделей прыжкового транспорта по ловушечным уровням, эмиссии Шоттки и полевой туннельной эмиссии. Перенос заряда в полимерной пленке осуществляется по области глубоких электронных локализованных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми. PACS: 73.21.Ac, 73.40.Qv, 73.61.Pb
H. Shirakawa, E.J. Louis, A.G. MacDiarmid, C.K. Chiang, A. Heeger. J. Chem. Soc. Chem. Commun., 105, 578 (1977)
I. Musa, W. Eccleston. Thin Sol. Films, 342--344, 469 (1999)
F. Ebisawa, T. Kurokawa, S. Nara. J. Appl. Phys., 54, 3255 (1983)
H. Koezuka, A. Tsumura, T. Ando. Synth. Met., 18, 699 (1987)
M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang et al. Nature, 14 (9), 2987 (2004)
A. Salleo, T.W. Chen, A.R. Volkel et al. Phys. Rev. B, 70, 115 311 (2004)
А.Н. Лачинов, В.И. Ковардаков, А.Н. Чувыров. Письма ЖТФ, 15 (7), 24 (1989)
А.Н. Лачинов, А.Ю. Жеребов, В.М. Корнилов. Письма ЖЭТФ, 52 (2), 742 (1990)
A.N. Ionov, A.N. Lachinov, M.M. Rivkin et al. Sol. St. Commun., 82, 609 (1992)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 252
W.G. Gill. J. Appl. Phys., 43, 5033 (1972)
G. Pfister. Phys. Rev. B, 16, 3676 (1977)
R. Richert, L. Pautmeier, H. Bassler. Phys. Rev. Lett., 63, 547 (1989)
C.B. Duke and T.J. Fabish. Phys. Rev. Lett., 37, 1075 (1976)
А.Н. Лачинов, В.М. Корнилов, Т.Г. Загуренко, А.Ю. Жеребов. ЖЭТФ, 129 (3), 1 (2006)