"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний--полимер--металл
Салихов Р.Б.1, Лачинов А.Н.2, Рахмеев Р.Г.2
1Башкирский государственный педагогический университет, Уфа, Россия
2Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской академии наук, Уфа, Россия
Поступила в редакцию: 31 января 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Посвящена экспериментальному изучению механизмов проводимости в тонких пленках широкозонных полимеров, входящих в состав гетероструктур на основе кремния. В качестве основного метода было выбрано измерение температурной зависимости вольт-амперных характеристик образцов в интервале 80-300 K. Для измерений были приготовлены многослойные структуры: Si-SiO2--полимер--металл. В качестве полимерного слоя были использованы пленки полидифениленфталида, в которых наблюдается переход из диэлектрического в высокопроводящее состояние. На основе полученных результатов особенности переноса заряда в исследованных образцах можно объяснить в рамках моделей прыжкового транспорта по ловушечным уровням, эмиссии Шоттки и полевой туннельной эмиссии. Перенос заряда в полимерной пленке осуществляется по области глубоких электронных локализованных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми. PACS: 73.21.Ac, 73.40.Qv, 73.61.Pb
  • H. Shirakawa, E.J. Louis, A.G. MacDiarmid, C.K. Chiang, A. Heeger. J. Chem. Soc. Chem. Commun., 105, 578 (1977)
  • I. Musa, W. Eccleston. Thin Sol. Films, 342--344, 469 (1999)
  • F. Ebisawa, T. Kurokawa, S. Nara. J. Appl. Phys., 54, 3255 (1983)
  • H. Koezuka, A. Tsumura, T. Ando. Synth. Met., 18, 699 (1987)
  • M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang et al. Nature, 14 (9), 2987 (2004)
  • A. Salleo, T.W. Chen, A.R. Volkel et al. Phys. Rev. B, 70, 115 311 (2004)
  • А.Н. Лачинов, В.И. Ковардаков, А.Н. Чувыров. Письма ЖТФ, 15 (7), 24 (1989)
  • А.Н. Лачинов, А.Ю. Жеребов, В.М. Корнилов. Письма ЖЭТФ, 52 (2), 742 (1990)
  • A.N. Ionov, A.N. Lachinov, M.M. Rivkin et al. Sol. St. Commun., 82, 609 (1992)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 252
  • W.G. Gill. J. Appl. Phys., 43, 5033 (1972)
  • G. Pfister. Phys. Rev. B, 16, 3676 (1977)
  • R. Richert, L. Pautmeier, H. Bassler. Phys. Rev. Lett., 63, 547 (1989)
  • C.B. Duke and T.J. Fabish. Phys. Rev. Lett., 37, 1075 (1976)
  • А.Н. Лачинов, В.М. Корнилов, Т.Г. Загуренко, А.Ю. Жеребов. ЖЭТФ, 129 (3), 1 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.