Пластически релаксированные пленки GeSi с долей Ge, равной 0.29-0.42, и толщиной до 0.5 мкм выращены на подложках Si(001) с использованием низкотемпературного (350oC) буферного слоя Si и Sb как сурфактанта. Показано, что введение Sb, выглаживающей поверхность пленки на стадии псевдоморфного роста, понижает плотность пронизывающих дислокаций в пластически релаксированной гетероструктуре на 1-1.5 порядка, а также уменьшает финишную шероховатость поверхности. Среднеквадратичная величина шероховатости меньше чем 1 нм была получена для пленки с содержанием Ge 0.29 и с плотностью пронизывающих дислокаций около 106 см-2. Предполагается, что влияние сурфактанта основано на том, что в присутствии Sb снижается активность поверхностных источников дислокаций. PACS: 61.72.Lk, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 81.15.Hi
M.T. Currie, S.B. Samavedam, T.A. Langdo, C.W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 72, 1718 (1998)
Y.H. Xie, D. Monroe, E.A. Fitzgerald, P.J. Silverman, F.A. Thiel, G.P. Watson. Appl. Phys. Lett., 63, 2263 (1993)
C.W. Leitz, M.T. Currie, M.L. Lee, Z.-Y. Cheng, D.A. Antoniadis, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 92, 3745 (2002)
H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, J.M. Zhou, J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996)
K.K. Linder, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
J.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, J.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
Y.H. Luo, J. Wan, R.L. Forrest, J.L. Liu, M.S. Goorsky, K.L. Wang. J. Appl. Phys., 89, 8279 (2001)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 96, 7665 (2004)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
R. Hull, J.C. Bean, C. Buescher. J. Appl. Phys., 66, 5837 (1989)
E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Hymphreys. J. Mater. Res., 5, 1900 (1990)
P.M. Mooney, F.K. LeGoues, J. Tersoff, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 3968 (1994)
V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii, T.G. Yugova, K.L. Lyutovich, S.M. Saidov. J. Cryst. Growth, 141, 109 (1994)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 280, 309 (2005)
T. Ueno, T. Irisawa, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth, 227, 761 (2001)
K.M. Shoukri, Y.M. Haddara, A.P. Knights, P.G. Coleman. Appl. Phys. Lett., 86, 131 923 (2005)
J. Tersoff, F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 72, 3570 (1994)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004)
Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. ФТП, 40, 324 (2006)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 293, 247 (2006)
M. Copel, M.C. Reuter, M. Horn von Hoegen, R.M. Tromp. Phys. Rev. B, 42, 11 682 (1990)
G.G. Jernigan, C.L. Silvestre, M. Fatemi, M.E. Twigg, P.E. Thompson. J. Cryst. Growth, 213, 299 (2000)
A.D. Lambert, B.M. McGregor, R.J.H. Morris, C.P. Parry, D.P. Chu, G.A. Cooke, P.J. Phillips, T.E. Whall, E.H.C. Parker. Semicond. Sci. Technol., 14, L1 (1999)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 91, 4710 (2002)
R.D. Hobard, D.J. Godbey, P.E. Thompson, D.S. Simons. Appl. Phys. Lett., 63, 1381 (1993)
K. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono. J. Cryst. Growth, 186, 95 (1998)
D.D. Perovic, G.C. Weatherly, J.-M. Baribeau, D.C. Houghton. Thin Sol. Films, 183, 141 (1989)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
F.K. Legoues, B.S. Meyerson, J.F. Morar, P.D. Kirchner. J. Appl. Phys., 71, 4230 (1992)
M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Mooney, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 66, 724 (1995)
F.R. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 72, 876 (1994)
A. Portavoce, I. Berbezier, A. Ronda. Phys. Rev. B, 69, 155 416 (2004)