"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние химической обработки на спектры фотолюминесценции слоев SiOx с включениями нанокристаллов Si
Индутный И.З.1, Майданчук И.Ю.1, Минько В.И.1, Шепелявый П.Е.1, Данько В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 28 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Исследовано влияние химической обработки в насыщенных парах аммиака и ацетона на спектральный состав и интенсивность фотолюминесценции в пористых пленках SiOx, содержащих нанокристаллы кремния (nc-Si). Пористость пленок SiOx обеспечивалась наклонным осаждением термически испаренного в вакууме кремния или его монооксида на полированные кремниевые подложки. Кинетика адсорбции паров контролировалась по изменению частоты кварцевого осциллятора, на который наносились исследуемые пленки. В результате химической обработки и последующего высокотемпературного отжига при температуре 950oC пленок SiOx в их спектре фотолюминесценции появляется новая (по сравнению с необработанными), более коротковолновая полоса, положение максимума которой зависит от состава пленки, а интенсивность --- от длительности обработки. Наблюдали гашение новой полосы фотолюминесценции под воздействием лазерного излучения (длина волны 488 нм), которое сильнее проявляется в максимуме полосы. Показана возможность управления характеристиками фотолюминесценции пористых структур при помощи химической обработки. PACS: 78.55.Mb, 79.60.Jv, 81.40.Ef
  • M. Volinary, H. Rinnert, H. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 82 (22), 3877 (2003)
  • В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП, 35 (7), 854 (2001)
  • D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister. J. Appl. Phys., 92 (8), 4678 (2002)
  • И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП, 37 (1), 98 (2003)
  • J. Heitmann, F. Muller, M. Zacharias, U. Gosele. Adv. Mater., 17, 795 (2005)
  • I.Z. Indutnyy, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, P.E. Shepelyavyi, V.A. Dan'ko. J. Optoelectron. and Adv. Mater., 7 (3), 1231 (2005)
  • S.R. Kennedy, M. Brett. J. Appl. Opt., 42 (22), 4573 (2003)
  • M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)
  • Tae-Youb Kim, Nae-Man Park, Kyun-Hyun Kim, Gun Yung Sung, Young Woo Ok, Tae-Yeon Seong, Cheol-Jong Choi. Appl. Phys. Lett., 85 (2), 5355 (2004)
  • Moon-Seung Yang, Kwan-Sik Cho, Ji-Hong Jhe, Se-Young Seo, Jung H. Shin, Kyung Joong Kim, Dae Won Moon. Appl. Phys. Lett., 85 (16), 3408 (2004)
  • Se-Young Seo, Kwan-Sic Cho, Jung H. Shin. Appl. Phys. Lett., 84, 717 (2004)
  • M. Nakamura, V. Mochizuki, K. Usami, U. Yoto, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50 (12), 1079 (1984)
  • G. Zuther. Phys. Status Solidi, 59, K109 (1980)
  • A.R. Wilkinson, R.G. Elliman. J. Appl. Phys., 97 (7), 4018 (2004)
  • B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodrigues, R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
  • В.Г. Бару, М.И. Елинсон, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.И. Покалякин, Г.В. Степанов, А.П. Чернушич. Микроэлектроника, 26 (3), 199 (1997)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, M.O. Ruault. ФТП, 35 (10), 1235 (2001)
  • Y.Q. Wang, W.D. Chen, X.B. Liao, Z.X. Cao. Nanotechnology, 14, 1235 (2003)
  • T. Takami, S. Ishidzuka, Y. Igari, H. Range, I. Kusunoki. Thin Sol. Films, 376, 89 (2000)
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
  • T. Toyoda, R. Torai. Thin Sol. Films, 438-439, 137 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.