Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 11 » Статья стр. 1389
<<<>>>
Свойства "иммерсионных" фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=1.8-2.3 мкм) в интервале температур 20-140oC
Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Шленский А.А.2, Лунин Л.С.3, Ратушный В.И.3, Корюк А.В.3, Тараканова Н.Г.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
3Южно-Российский государственный технический университет, Новочеркасск, Россия
4ООО "Иоффе-ЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
PDF версия
Представлены результаты работы по созданию иммерсионных фотодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb с длинноволновыми границами фоточувствительности при 2.05 и 2.25 мкм (20oC). Обсуждаются спектральные и вольт-амперные характеристики, а также влияние конструкции фотодиода на его обнаружительную способность в диапазоне температур 20-140oC. PACS: 85.60.Dw, 85.60.Gz
  1. Т.В. Андреева, В.В. Гаврушко, С.Г. Кузюков, Ю.Н. Прошкин, А.А. Сапожников, А.М. Чупраков, А.А. Шленский. Прикл. физика, N 2, 75 (2005)
  2. И.А. Андреев, Н.Д. Ильинская, Е.В. Куницына, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 974 (2003)
  3. T.T. Piotrowski, A. Piotrowska, E. Kaminska, M. Piskorski, E. Papis, K. Golaszewska, J. Katcki, J. Ratajczak, J. Adamczewska, A. Wawro, J. Piotrowski, Z. Orman, J. Pawluczyk, Z. Nowak. Optoelectron. Rev., 9, 188 (2001)
  4. B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, V.G. Polovinkin, N.G. Tarakanova. In: Progress in Semiconductor Materials V --- Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications [MRS Proc., 891, ed. by L.J. Olafsen, R.M. Biefeld, M.C. Wanke and A.W. Saxler (2006) paper \# 0891-EE01-04]
  5. T. Ashley, D.T. Dutton, C.T. Elliott, N.T. Gordon, T.J. Phillips. Proc. SPIE, 3289, 43 (1998)
  6. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский. ФТП, 40, 356 (2006)
  7. S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. Proc. SPIE, 4651, 157 (2002)
  8. R.C. Johnes. Appl. Opt., 1, 607 (1962)
  9. B. Andrews. Abstracts Int. Conf. on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices ( MIOMD-VI) (St. Petersburg, Russia, 2004) p. 90. http://www.ioffe.rssi.ru/MIOMD-VI/miomd-abs.html
  10. B.A. Matveev. In: Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics [Spinger Ser. in Optical Science (2006) ISSN 0342--4111, p. 395]
  11. V.T. Khryapov, V.P. Ponomarenko, V.G. Butkevitch, I.I. Taubkin, V.I. Stafeev, S.A. Popov, V.V. Osipov. Proc. SPIE, 1540, 412 (1991)
  12. J.G. Crowder, T. Ashley, C.T. Elliott, G.J. Pryce, A.D. Johnson. Electron. Lett., 36, 1867 (2000)
  13. L.M. Dolginov, P.G. Eliseev, A.N. Lapshin, M.G. Milvidskii. Kristall and Technik, 13, 631 (1978)
  14. J. Malinen, H. Lindstrom, J. Lehtomaa. Abstracts Int. Conf. on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices ( MIOMD-VII) (Lancaster, UK, 2005) p. 65. -2.7pthttp://www.lancs.ac.uk/depts/physics/conf/miomd-7/scope.html
  15. В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007)
  16. A.G. Fischer, C.J. Nuese. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Science, 116, 1718 (1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme