Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование межфазной границы в резко неравновесных условиях
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Сообщается о результатах сравнительных исследований межфазной границы CdTe-CdS в сэндвич-структурах Au/CdTe/CdS, синтезированных на подложке из искусственной слюды фторфлогопит в резко неравновесных условиях (температура подложки Ts=125 K) и в квазиравновесных условиях (при Ts>720 K). Представлены рентгенограммы и вольт-фарадная характеристика. Показано, что резко неравновесные условия позволяют синтезировать структуры с кристаллическим совершенством и межфазной границей не хуже, чем у структур, синтеризованных в равновесных условиях. PACS: 68.35.Fx, 68.37.-d, 68.55.Nq
- И.В. Бондарь, А.А. Вайполин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 41, 160 (2007)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец. ФТП, 35, 294 (2001)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В. Антипов. ФТП, 40, 790 (2006)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ, 39, 382 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
