Ионизация в электрическом поле DX-центра, связанного с серой, в In1-xGaxP
Крутоголов Ю.К.1
1Научно-исследовательский институт материалов электронной техники, Калуга, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней и вольт-фарадных измерений исследовано влияние электрического поля на процесс ионизации DX-центра, связанного с серой, в слоях In1-xGaxP (x~0.65) n-типа проводимости, выращенных методом газовой эпитаксии. Показано, что при увеличении напряженности электрического поля от 1.3·104 до 1.9·105 В/см энергия активации центра падает от ~0.38 до ~0.26 эВ, причем процесс ионизации определяется многофононным туннелированием. По оцененному значению времени туннелирования дефекта сделано заключение, что DX-центр соответствует модели большой релаксации решетки. PACS: 61.72.Ji, 71.55.Eq
- D.V. Lang. In: Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Gordon and Breach Science Publisher, 1986) p. 489
- P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
- T.N. Morgan. Phys. Rev. B, 34, 2664 (1986)
- D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10 063 (1989)
- P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
- S.W. Biernacki. Sol. St. Commun., 98, 863 (1996)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
- Н.Т. Баграев, Н.М. Колчанова, В.А. Машков. Письма ЖЭТФ, 45, 231 (1987)
- S. Markram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 25, 6406 (1982)
- В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 2319 (1986)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
- M. Mizuta, M. Tachikawa, H. Kukimito, S. Minomura. Jpn. J. Appl. Phys., 24, L143 (1985)
- T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. Phys. Rev. Lett., 60, 361 (1988)
- L. Dobaczewski, J.E. Dmochowski, J.M. Langer. Semicond. Sci. Technol., 6, 752 (1991)
- J.R. Morante, J. Samitier, A. Cornet, A. Herms. Appl. Phys. Lett., 45, 1317 (1984)
- I.D. Hwang, B. Choe. Jpn. J. Appl. Phys., 25, L891 (1986)
- M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Semicond. Sci. Technol., 6, 973 (1991)
- J. Krynicki, M.A. Zaidi, M. Zazoui, J.C. Bourgoin, M. DiForte-Poisson, C. Brylinski, S.L. Delage, H. Blank. J. Appl. Phys., 74, 260 (1993)
- С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
- S.D. Ganichev, E. Ziemann, W. Prettl, I.N. Yassievich, A.A. Istratov, E.R. Weber. Phys. Rev. B, 61, 10 361 (2000)
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
- C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 54, R14 246 (1996)
- Д.Е. Онопко, Н.Т. Баграев, А.И. Рыскин. ФТТ, 37, 2376 (1995)
- A.V. Skazochkin, Yu.K. Krutogolov, G.G. Bondarenko. Semicond. Sci. Technol., 11, 495 (1996)
- Ю.К. Крутоголов, В.Л. Крюков, Ю.И. Кунакин, А.А. Матяш, А.К. Горбунов. Поверхность, N 12, 61 (2004)
- Yu.K. Krutogolov, Yu.I. Kunakin, A.A. Matyash. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 12, 645 (2001)
- N.T. Bagraev. Sol. St. Commun., 95, 365 (1995)
- L. Dobaczewski, P. Kaczor, M. Missous, A.R. Peaker, Z.R. Zytkiewicz. Phys. Rev. Lett., 68, 2508 (1992)
- Н.Т. Баграев. ЖЭТФ, 100, 1378 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук