"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs
Дроздов М.Н.1, Востоков Н.В.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Молдавская Л.Д.1, Мурель А.В.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Методом металлорганической газофазной эпитаксии изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs с квантовыми точками, демонстрирующие фотолюминесценцию в диапазоне 1.55 мкм при 300 K. Особенностью процесса роста является использование повышенной эффективности толщины слоя InAs deff для формирования квантовых точек в сочетании с низкотемпературным заращиванием их тонким (6 нм) слоем GaAs и со стадией отжига дефектов. Методами рентгеновской дифракции и фотолюминесценции в структурах с повышенной толщиной deff показано возникновение вторичного смачивающего слоя InGaAs поверх слоя квантовых точек из растворенных крупных релаксированных кластеров InAs при отжиге. Предложен новый механизм формирования крупных квантовых точек с большим значением "aspect ratio", основанный на 2D-3D трансформации вторичного слоя InGaAs в поле упругих напряжений ранее сформированных квантовых точек. Особенностью массива квантовых точек является наличие трех популяций квантовых точек разных размеров с многомодовой фотолюминесценцией в диапазоне от 1 до 1.6 мкм. Исследуется применение таких структур в качестве фотоприемников на инфракрасный диапазон 1-2.5 мкм при комнатной температуре. PACS: 78.55.Gr, 85.60.Cz, 68.65.Hb, 78.67.Hc, 81.15.Gh
  • D. Fekete, H. Dery, A. Rudra, E. Kapon. J. Appl. Phys., 99 (3), 034 304 (2006)
  • J.F. Chen, R.S. Hsiao, Y.P. Chen, J.S. Wang, J.Y. Chi. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 141 911 (2005)
  • A. Passaseo, R. Rinaldi, M. Longo, S. Antonaci, A.L. Convertino, R. Cingolani, A. Taurino, M. Catalono. J. Appl. Phys. 89 (8), 4341 (2001)
  • В.М. Устинов. ФТП, 38 (8), 963 (2004)
  • A.A. El-Emawy, S. Birudavolu, P.S. Wong, Y.-B. Jiang, H. Xu, S. Huang, D.L. Huffaker. J. Appl. Phys., 93 (9), 3529 (2003)
  • Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская, А.Б. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Р. Селин, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (9), 1097 (2002)
  • N. Nuntawong, S. Huang, Y.B. Jiang, C.P. Hains, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 87 (11), 113 105 (2005)
  • I.N. Kaiander, R.L. Sellin, T. Kettler, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 84 (16), 2992 (2004)
  • G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Mereuta, J.M. Gerard, I. Sagner. J. Cryst. Growth, 235, 89 (2002)
  • L.D. Moldavskaya, V.M. Daniltsev, M.N. Drozdov, V.R. Zakamov, V.I. Shashkin. Conf. Proc. Narrow Gap Semiconductors 2005". (Institute of Physics Conference Series, N 187)
  • Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин. ФТП, 42 (1), 101 (2008)
  • V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, Yu.N. Drozdov, O.I. Khrykin, A.V. Murel, N.V. Vostokov. Proc. EW MOVPE VIII (Prague, June 8-11, 1999) p. 159
  • G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, P. Acosta-Diaz, R. Songmuang, G. Katsaros, O.G. Schmidt, K. Kern. Phys. Rev. Lett., 96 (22), 226 106 (2006)
  • S.J. Lee, J.O. Kim, S.K. Noh, J.W. Choe, K.-S.-Lee. J. Cryst. Growth, 284, 39 (2005)
  • Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, Н.В. Востоков, В.И. Шашкин. Изв. РАН, 71 (1), 107 (2007)
  • A. Lenz, H. Eisele, R. Timm, S.K. Becker, R.L. Sellin, U.W. Pohl, D. Bimberg, M. Dahne. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3848 (2004)
  • В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, А.В. Мурель, Н.В. Востоков, Taek Kim, Yong-Jo Park. ФТП, 40 (4), 455 (2006)
  • H. Zhu, Z. Wang, H. Wang. I. Cui, S. Feng. J. Cryst. Growth, 197, 372 (1999)
  • H. Lim, W. Zhang, S. Tsao, T. Sills, J. Szafraniec, K. Mi, B. Movaghar, M. Razeghi. Phys. Rev. B, 72, 085 332 (2005)
  • S. Liang, H.L. Zhu, J.Q. Pan, L.P. Hou, W. Wang. J. Cryst. Growth, 282, 297 (2005)
  • I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, S.V. Morozov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishev. Nanotechnology, 12, 425 (2001)
  • N. Nuntawong, J. Tatebayashi, P.S. Wong, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 90, 163 121 (2007)
  • J.S. Kim, J.H. Lee, S.U. Hong, W.S. Han, H.-S. Kwack, J.H. Kim, D.K. Oh. J. Appl. Phys., 94 (4), 2486 (2003)
  • В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Р. Закамов, А.Ю. Лукьянов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель. Прикл. физика, 2, 73 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.