Теоретически исследовано влияние на вольт-ваттную чувствительность полевого транзистора с коротким каналом нелинейности дрейфовой скорости свободных носителей заряда, градиентных и концентрационных нелинейностей. Результаты теории сопоставлены с результатами эксперимента по детектированию терагерцового излучения. Из сопоставления следует, что для лучшего понимания наблюдаемых закономерностей при анализе высокочастотных характеристик транзистора необходимо учитывать наряду с плазменным и другие механизмы токовой нелинейности. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Mx, 84.40.Dc, 85.30.Tv
Proc. SEMICON Europa 2004 (Munich, Germany, 2004)
M. Dyakonov, M. Shur. Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
M. Dyakonov, M. Shur. IEEE. Trans. Electron. Dev., 43, 380 (1996)
W. Knap. J. Lusakowski, T. Parenty, S. Bollaert, A. Cappy, V.V. Popov, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 84, 2331 (2004)
M.L. Orlov, F. Teppe, W. Knap, A.El Fatimy, J. Lusakowski, S. Bollaert, A. Cappy. Book Abstr. Int. Conf. " Micro- and Nanoelectronics, ICMNE 2005" (Zvenigorod, Russia, 2005) P2-21
W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 81, 4637 (2002)
А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, С.В. Морозов, Ф.Ф. Дубинов, J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrovska, K. Galaszevska, M.S. Shur. ФТТ, 46, 146 (2004)
W. Knap, V. Kachorovskii, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.Q.R. Gaska, G. Simin, X. Hu, M.A. Khan, C.A. Saylor, L.C. Brunel. J. Appl. Phys., 91, 9346 (2002)
D. Veksler, F. Teppe, A.P. Dmitriev, V.Yu. Kachorovskii, W. Knap, M.S. Shur. Phys. Rev. B, 73, 125 328 (2006)
Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977)
С.П. Ашмонтас, Ю.К. Пожела, К.К. Репшас. Лит. физ. сб., 11, 243 (1971)
В. Денис, Ю.К. Пожела. Горячие электроны (Вильнюс, Минтис, 1971)
В.Н. Гусятников, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов и др. Электрон. техн. сер. 1. Электроника СВЧ, 11 (347), 25 (1982)