Приведены экспериментальные результаты по исследованию влияния быстрых реакторных нейтронов на спектры поглощения света, фотопроводимость и люминесценцию специально не легированных и легированных медью монокристаллов сульфида кадмия. Показано, что образованные при нейтронном облучении кластеры дефектов проявляют гетерирующие свойства для легко мигрирующих оптически активных примесей в решетке кристалла. Дефекты в нейтронно-облученных образцах отжигаются в две стадии. На первой стадии (~ 100-150oC) происходит отжиг точечных дефектов, на второй --- (~ 250-420oC) отжигаются в основном кластеры дефектов, при их распаде происходит обогащение решетки вакансиями кадмия и серы. PACS: 78.55.Et, 61.72.Cc, 78.30.Fs, 71.55.Gs, 61.80.Hg, 61.82.Fk
В.Л. Рот. Кристаллография. В кн.: Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-B-=SUP=-VI-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970) с. 103
А.П. Галушка, И.Б. Ермолович, Н.Е. Корсунская, И.Д. Конозенко, М.К. Шейнкман. ФТП, 8 (4), 1040 (1966)
А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк. ФТП, 9, 2276 (1975)
A.P. Galushka, G.E. Davidyuk. J. Phys. D: Appl. Phys., 10, 933 (1977)
Г.Е. Давидюк, А.П. Галушка, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, 7, 37 (1980)
А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара. ФТП, 12, 2278 (1978)
Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, 2, 19 (1984)
Н.Р. Кулиш, М.П. Лисица, Н.И. Малыш, Б.М. Булах. ФТП, 24 (1), 25 (1990)
В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронова, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981) с. 65
Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Иностр. лит., 1962) с. 199
М.Е. Шейнкман, И.Б. Ермолович, Г.Л. Беленский. ФТТ, 10 (9), 2628 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.