"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства гетероперехода IFO/p-Si
Унтила Г.Г.1, Кост Т.Н.1, Чеботарева А.Б.1, Закс М.Б.2, Ситников А.М.2, Солодуха О.И.2
1Научно-исследовательский институт им. Скобельцына Московского государственного университета им. Ломоносова, Москва, Россия
2Научно-производственная фирма "Кварк", Краснодар, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Пленки In2O3 : F (IFO) наносили на кристаллический кремний и стекло методом pyrosol. Исследовано влияние температуры и кислорода в процессе нанесения, а также последующих отжигов в различных средах на фотоэлектрические свойства структуры IFO/Si. Обнаружено, что IFO формирует выпрямляющий контакт к p-Si, позволяет получить высокое фотонапряжение Up=586 мВ и внутренний квантовый выход более 97% для структуры IFO/(pp+)Si, обладает низким (0.3-0.4 мОм·см) удельным сопротивлением. Увеличению Up способствует повышение температуры осаждения IFO, низкое содержание кислорода в газе-носителе и отжиг в аргоне с парами метанола. Сделан вывод о сильном влиянии кислорода на поверхность зерен IFO, а также переходного слоя на фотоэлектрические свойства структуры IFO/(pp+)Si. PACS: 84.60.Jt, 73.40.Ty, 73.61.-r, 78.66.-w, 85.30.De, 85.30.Hi
  • M.A. Green. Solar Energy, 74, 181 (2003)
  • A. Chaoui, R. Ardebili, J.C. Manifacier. Solar Cells, 14, 133 (1985)
  • M. Taguchi, K. Kawamoto, S. Tsuge, T. Baba, H. Sakata, M. Morizane, K. Uchihashi, N. Nakamura, S. Kiyama, O. Octa. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 8, 503 (2000)
  • A.G. Ulyashin, B. Eidelman, G. Untila, A. Chebotareva, T. Kost, B.R. Olaisen, E.S. Marstein, A. Holt, A.Yu. Kuznetsov, B.G. Svensson. Proc. 20th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Barselona, Spain, 2005) p. 1263
  • G. Haacke. J. Appl. Phys., 47, 4086 (1976)
  • C.G. Granqvist, A. Hultaker. Thin Sol. Films, 411, 1 (2002)
  • A. Ulyashin, B. Eidelman, G. Untila, A. Chebotareva, T. Kost, A. Suphellen, A. Bentzen, A. Holt, E. Sauar. Proc. 21th Europ. Conf. on Photovolt. Solar energy Conversion (Dresden, Germany, 2006) p. 1235
  • K.V. Maydell, E. Conrad, M. Schmidt. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 14, 289 (2006)
  • C. Canizo, R. Lago, I. Pou, A. ElMoussaoui, A. Luque. Proc. 16th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Glasgow, UK, 2000) p. 1735
  • G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 21th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Dresden, Germany, 2006) p. 1199
  • H. Kobayashi, T. Ishida, K. Nakamura, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 72, 5288 (1992)
  • G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 21th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Dresden, Germany, 2006) p. 1199
  • H. Kobayashi, Y.-L. Liu, Y. Yamashita, J. Ivanco, S. Imai, M. Takahashi. Solar Energy, 80, 645 (2006)
  • T. Feng, A.K. Ghosh, C. Fishman. J. Appl. Phys., 50, 4972 (1979)
  • W.A. Badawy, H.H. Afify, E.M. Elgiar. J. Electrochem. Soc., 137, 1592 (1990)
  • G. Untila, A. Osipov, T. Kost, A. Chebotareva, M Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha, A. Pinov. Proc. 17th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Munich, Germany, 2006) p. 1793
  • Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 39, 1393 (2005)
  • C.N.R. Rao. Pure \& Appl. Chem., 66, 1765 (1994)
  • M. Langlet. Thin Sol. Films, 389-- 399, 71 (2001)
  • N. Romero, A. Bosio, V. Canevari, M. Terheggen, L. Vailant Roca. Thin Sol. Films, 431-- 432, 364 (2003)
  • T. Maruyama, K. Fukui. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1705 (1990)
  • T. Maruyama, T. Nakai. J. Appl, Phys., 71, 2915 (1992)
  • S.P. Singh, A. Raza, A.K. Sharma, O.P. Agnihotry, L.M. Tewari. Thin Sol. Films, 105, 131 (1983)
  • S.M. Rozati, T. Ganj. Renewable Energy, 29, 1665 (2004)
  • T. Asikainen, M. Ritala, W.-M. Li, R. Lappalainen, M. Leskela. Appl. Surf. Sci., 112, 231 (1997)
  • J.N. Avaritsiotis, R.P. Howson. Thin Sol. Films, 80, 63 (1981)
  • Z. Ning, S. Cheng, F. Huang, Y. Bian, X. Luo. Mater. Sci. Eng., B90, 196 (2002)
  • H. Kobayashi, H. Mori, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phys., 77, 1301 (1995)
  • C. Lee, K. Lim, J. Song. Sol. Energy Mater.: Solar Cells, 43, 37 (1996)
  • W. Song, S.K. So, L. Cao. Appl. Phys. A, 72, 361 (2001)
  • E. Shanthi, A. Banerjee, V. Dutta, K.L. Chopra, J. Appl. Phys., 53, 1615 (1982)
  • T. Maruyama, K. Tabata. J. Appl. Phys., 68, 4282 (1990)
  • J. Shewechun, J. Dubow, C.W. Wilmsen, R. Singh, D. Burk, J.F. Wager. Appl. Phys., 50, 2832 (1979)
  • H. Kobayashi, Y. Kogetsu, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phys., 74, 4756 (1993)
  • H. Kobayashi, T. Ishida, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 69, 1736 (1991)
  • T. Ishida, H. Kouno, H. Kobayashi, Y. Nakato. J. Electrochem. Soc., 141, 1357 (1994)
  • Т. Мосс, Г. Баррелл, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 90. [Пер. с англ.: T.S. Moss, G.J. Burrel, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics (Butterworth \& Co. (Publishers) Ltd, 1973 )].
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.