Вышедшие номера
Исследование начальных стадий роста Mg на Si(111) при комнатной температуре методами оптической и электронной спектроскопии
Галкин К.Н.1, Доценко С.А.1, Галкин Н.Г.1, Kumar M.2, Govind 2, Shivaprasad S.M.2
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
2Surface Physics and Nanostructures Group, National Physical Laboratory, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi, India
Поступила в редакцию: 16 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

С использованием методов дифракции медленных электронов, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами и дифференциальной отражательной спектроскопии исследованы начальные стадии роста пленки Mg на Si(111) при комнатной температуре. В исследованном диапазоне значений толщины пленки магния (h=0-0.2 нм) обнаружено формирование полупроводникового силицида магния (Mg2Si), являющегося перспективным материалом для создания кремний-силицидных термоэлементов. При малой толщине осажденной пленки формируются идентичные кластеры Mg2Si. Увеличение количества атомов Mg приводит к формированию двумерных, а затем и трехмерных островков Mg2Si. Для всех структур получены спектры функции изменения оптического отклика deltaLambda''theta, являющиеся характеристикой их оптических свойств. PACS: 78.20.Ci, 78.67.Bf, 78.67.Hc, 81.07.Bc, 81.15.Ef, 82.80.Pv
  1. N.G. Galkin, K.N. Galkin, S.V. Vavanova. e-J. Surf. Sci. Nanotechnol., 3, 12 (2005)
  2. W.J. Scouler. Phys. Rev., 178, 1353 (1969)
  3. P.M. Lee. Phys. Rev., 135, A1110 (1964)
  4. Y. Au-Yang, M.L. Cohen. Phys. Rev., 178, 1358 (1969)
  5. F. Aymerich, G. Mula. Phys. Status Solidi, 42, 697 (1970)
  6. D.M. Wood, A. Zunger. Phys. Rev. B, 34, 4105 (1986)
  7. А.В. Кривошеева, А.Н. Холод, В.Л. Шапошников, А.Е. Кривошеев, В.Е. Борисенко. ФТП, 36, 528 (2002)
  8. C. Wigren, J.N. Andersen, K. Nynolm, U.O. Karlsson. Surf. Sci., 289, 290 (1993)
  9. J. Quinn, F. Jona. Surf. Sci., 249, L307 (1991)
  10. K.S. An, R.J. Park, J.S. Kim, C.Y. Park, S.B. Lee, T. Abukawa, S. Kono, T. Konoshita, A. Kakizaki, T. Ishii. J. Appl. Phys., 78, 1151 (1995)
  11. K.S. An, R.J. Park, J.S. Kim, C.Y. Park, C.Y. Kim, J.W. Chung, T. Kinoshita, A. Kakizaki. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., 80, 165 (1996)
  12. M.A.K. Zilani, Y.Y. Sun, H. Xu, Lei Liu, Y.P. Feng, X.-S. Wang, A.T.S. Wee. Phys. Rev. B, 72, 193 402 (2005)
  13. O.A. Utas, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin, V.G. Lifshits. Surf. Sci., 596, 53 (2005)
  14. Н.Г. Галкин, С.А. Доценко, Л.В. Коваль. Письма ЖТФ, 33, 44 (2007)
  15. С.А. Доценко. Автореф. канд. дис. (Владивосток, Дальневост. гос. ун-т, 2006)
  16. M. Kumar, V.K. Paliwal, A.G. Joshi, Govind, S.M. Shivaprasad. Surf. Sci., 596, 206 (2005)
  17. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, A.S. Gouralnik, L.V. Koval. e-J. Surf. Sci. Nanotechnol., 3, 113 (2005)
  18. S. Hasegawa, X. Tong, S. Takeda, N. Sato, T. Nagao. Progr. Surf. Sci., 60, 89 (1999)
  19. J.L. Li, J.F. Jia, X.J. Liang, X. Liu, J.Z. Wang, Q.K. Xue, Z.Q. Li, J.S. Tse, Z. Zhang, S.B. Zhang. Phys. Rev. Lett., 88, 066 101 (2002)
  20. Z.X. Xie, K. Iwase, T. Egawa, K. Tanaka. Phys. Rev. B, 66, 121 304 (2002)
  21. V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin, T.V. Kasyanova, M.A. Cherevik, I.V. Pisarenko, V.G. Lifshits. Phys. Rev. B, 66, 165 401 (2002)
  22. K. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, M. Takahashi. Surf. Sci., 164, 367 (1985)
  23. В.Г. Лифшиц, Ю.В. Луняков. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии (Владивосток, Дальнаука, 2004)
  24. A. Bagchi, R. G. Barrera, A.K. Rajagopal. Phys. Rev. B, 20, 48 24 (1979).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.