Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки

Беляев А.Е.¹, Болтовец Н.С.², Иванов В.Н.², Кладько В.П.¹, Конакова Р.В.¹, Кудрик Я.Я.¹, Кучук А.В.¹, Миленин В.В.¹, Свешников Ю.Н.³, Шеремет В.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
³ЗАО "Элма-Малахит", Москва, Россия

Поступила в редакцию: 12 сентября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован механизм токопереноса в диодах Шоттки Au-TiB_x-n-GaN, область пространственного заряда в которых значительно превышает длину волны де Бройля в GaN. Анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) прямосмещенных барьеров Шоттки показал, что в интервале температур 80-380 K токоперенос осуществляется туннелированием вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. Оценка плотности дислокаций rho из вольт-амперных характеристик в соответствии с моделью туннелирования по дислокационной линии дает величину rho~1.7·10⁷ см^-2, что близко по величине к плотности дислокаций, измеренной методом рентгеновской дифрактометрии. PACS: 73.23.-b, 73.40.Sx, 73.40.Gk, 73.43.Jn

M.S. Shur. Sol. St. Electron., 42 (12), 2131 (1998)
H. Morkos. Nitride Semiconductors and Devices (Springer, 1999)
Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
В.П. Кладько, С.В. Чорненький, А.В. Наумов, А.В. Комаров, М. Tacano, Ю.Н. Свешников, С.А. Витусевич, А.Е. Беляев. ФТП, 40 (9), 1087 (2006)
В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков. ФТП, 27 (8), 1319 (1993)
В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Ю.Г. Садофьев, А.Н. Топчий, Н.Н. Фалеев, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков. ФТП, 29 (3), 385 (1995)
В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, М. Джумаева, Н. Назаров. ФТП, 31 (2), 152 (1997)
В.В. Евстропов, М. Джумаева, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, А.А. Ситникова, Л.М. Федоров. ФТП, 34 (11), 1357 (2000)
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, Ю.Н. Свешников. Письма ЖТФ, 31 (24), 88 (2005)
Semiconductor Materials GaN, AlN BN, SiC, eds M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur. (John Wiley \& Sons Inc., N. Y., 2001)
M. Shur. Physics of Semiconductor Devices (Prentice-Hall Inc., 1990)
E.V. Kalinina, N.I. Kuznetsov, A.I. Babanin, V.A. Dmitriev, A.V. Shchukarev. Diamond Relat. Mater., 6, 1528 (1997)
J. Wurfl, V. Abrosimova, J. Hilsenbeck, E. Nebauer, W. Rieger, C. Trankle. Microelectronics Reliability, 39, 1737 (1999)
E. Monroy, F. Calle, R. Ranchal, T. Palacios, M. Verdu, F.J. Sanchez, M.T. Montojo, M. Eickhoff, F. Omn'es, Z. Bougrioua, I. Moerman. Semicond. Sci. Technol., 17, L47, (2002)
G.L. Chen, F.C. Chang, K.C. Shen, J. Ou, W.H. Chen, M.C. Lee, W.K. Chen, M.J. Jou, C.N. Huang. Appl. Phys. Lett., 80, 595 (2002)
N. Miura, T. Nanjo, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, T. Ozeki, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo. Sol. St. Electron., 48, 689 (2004)
Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, Г.Н. Мосина, М.П. Щеглов. ФТТ, 41 (1), 30 (1999)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of semiconductor devices, 2nd ed. (N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons Inc., 1981)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель