Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин Г.Э., Сибирев Н.В.1, Sartel С.2, Harmand J.-C.2
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2LPN CNRS, Marcoussis, France
Поступила в редакцию: 24 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
Рассмотрены возможности получения латерально-упорядоченных массивов нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(110) и GaAs(111)B непосредственно при молекулярно-пучковой эпитаксии. Как и в случае подложки GaAs(111)B, на поверхности GaAs(110) нановискеры образуются в гексагональной фазе, что подтверждается и картинами дифракции быстрых электронов на отражение, снятыми при росте нановискеров, и спектрами фотолюминесценции. PACS: 68.70, 61.46.-w, 61.46.Hk
- А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП, 38 (10), 1256 (2004)
- R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
- M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, C. Thelander, A.I. Persson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 81, 4458 (2002)
- J. Xiang, W. Lu, Y. Hu, Y. Wu, H. Yan, C.M. Lieber. Nature, 441, 489 (2006)
- X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
- X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, C.M. Lieber. Nature, 421, 241 (2003)
- J. Wang, M.S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 293, 1455 (2001)
- H. Pettersson, J. Trogordh, A.I. Persson, L. Landin, D. Hessman, L. Samuelson. Nano Lett., 6, 229 (2006)
- G. Zheng, F. Patolsky, Y. Cui, W.U. Wang, C.M. Lieber. Nature Biotechnology, 23, 1294 (2005)
- T. Bryllert, L.-E. Werenersson, T. Lowgern, L. Samuelson. Nanotechnology, 17, S227 (2006)
- Г.Э. Цырлин, M. Tchernycheva, C. Sartel, J. Patriarche, L. Vila, J.C. Harmand. Матер. XI Межд. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2007) с. 187
- M. Tchernycheva, J.C. Harmand, G. Patriarche, L. Travers, G.E. Cirlin. Nanotechnology, 17, 4025 (2006)
- И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47, 2121 (2005)
- Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, New Series. Group III: Condensed Matter, v. 42A2, ed. by W. Martienssen (Spvinger Verlag)
- J.W. Cahn, R.E. Hanneman. Surf. Sci., 1, 387 (1964)
- D.M. Holmesa, E.S. Toka, J.L. Sudijonoa, T.S. Jonesa, B.A. Joyce. J. Cryst. Growth, 192, 33 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук