Интенсивность излучения гетероструктур на основе n-ZnO/p-GaN<Er+Zn>, n-ZnO/AlGaN<Er+Zn> по сравнению с интенсивностью отдельных слоев n-ZnO, p-GaN<Er+Zn>, AlGaN<Er+Zn> увеличивается более чем на порядок. По всей вероятности, причиной того является эффективная туннельная рекомбинация носителей, обусловленная уменьшением концентрации центров безызлучательной рекомбинации межфазных поверхностных состояний между слоями n-ZnO/p-GaN<Er+Zn> и n-ZnO/AlGaN<Er+Zn>. PACS: 78.55.Cr, 78.67.Pt
G. Hu, H. Gong, E.F. Chor. Appl. Phys. Lett., 89 (25), 1 102 (2006)
L.L. Chen, Z.Z. Ye, J.G. Lu, P. Chu. 89 (25), 2 113 (2006)
C.D. Ahn, H.S. Kang, J.H. Kim, G.H. Kim, S.Y. Lee. J. Appl. Phys., 100 (9), 3 701 (2006)
K.A. Bulashevich, I.Yu. Evstratov, V.N. Nabokov, S.Yu. Karpov. Appl. Phys. Lett., 87 (3), 502 (2005)
В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП, 38 (11), 1308 (2004)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТП, 45 (9), 1556 (2003)
М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.