Исследовано влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge при 77 и 300 K. Обнаружено слабое изменение прямого и обратного токов гетероперехода в магнитном поле. Установлено, что наблюдаемое изменение токов гетероперехода главным образом обусловлено вариацией потенциального барьера вследствие изменения концентрации неосновных носителей тока с магнитным полем. Найдено, что вольтовая магниточувствительность гетероперехода на порядок меньше, чем вольтовая магниточувствительность германиевого магнитодиода. PACS: 75.70.Cn, 72.20.My, 73.40.Kp

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.