Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности использования широкозонных полуизолирующих материалов в задачах регистрации ядерного излучения

Иванов А.М.¹, Строкан Н.Б.¹, Лебедев А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 декабря 2007 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа детекторов в сильных полях радиации или несовершенная технология приводит к возникновению в материалах значительного количества дефектов структуры. Для минимизации накопления объемного заряда (вследствие долговременного захвата носителей на глубокие уровни) рассматривается включение p⁺-nu-n⁺-структуры детектора в нетрадиционном пропускном направлении. На примере CVD-пленки 4H-SiC, содержащей до 2.5· 10¹⁷ см^-3 первично смещенных атомов, прослежены эффективность транспорта носителей и спектр амплитуд сигналов в функции величины прилагаемого напряжения и времени формирования сигнала электроникой. Тестирование осуществлялось alpha-частицами с энергией 5.4 МэВ в температурном диапазоне 20-140^oC. Несмотря на перенос всего 1/4 доли заряда, основная линия спектра имеет высокое для данных условий разрешение по энергии (7%). PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

N.B. Strokan, A.M. Ivanov, A.A. Lebedev. In: SiC Power Materials, ed. by Zh. C. Feng Berlin, Springer (2004) p. 411
F.H. Ruddy, J.G. Seidel, H. Chen, A.R. Dulloo, S. Ryu. IEEE Trans. Nucl. Sci., 53, 1713 (2006)
G. Bertuccio, R. Casiraghi, A. Cetronio, C. Lanzieri, F. Nava. Nucl. Instrum. Meth. A, 518, 433 (2004)
Е.В. Калинина, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 34 (5), 63 (2008)
А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, А.В. Садохин, А.А. Лебедев. ФТП, 41 (8), 998 (2007)
А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Е.В. Богданова, А.А. Лебедев. ФТП, 41 (1), 117 (2007)
Н.В. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
N.B. Strokan, A.M. Ivanov, A.A. Lebedev. Nucl. Instrum. Meth. A, 569 (3), 758 (2006)
И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП, 42 (1), 113 (2008)
K. Hecht. Z. Phys., 77, 235 (1932)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053 706 (2005)
В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42 (2), 243 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель