Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния

Качурин Г.А.¹, Черкова С.Г.¹, Марин Д.В.¹, Гутаковский А.К.¹, Черков А.Г.¹, Володин В.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 14 января 2008 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано действие облучения ионами He⁺, F⁺ и P⁺ разных энергий на фотолюминесценцию и структуру нанокристаллов Si. Установлено, что при малых интенсивностях торможения ионов гашение фотолюминесценции обеспечивается единичными атомными смещениями. Однако с ростом интенсивности гашение сопровождается увеличением ядерных потерь. Считается, что в разреженных каскадах смещений подвижные дефекты преимущественно стекают к поверхности, где образуют центры безызлучательной рекомбинации. В плотных же каскадах они частично формируют стабильные структурные нарушения внутри нанокристаллов. Для аморфизации нанокристаллов Si при 20^oC достаточно накопить ~0.06 dpa, причем зависимости от интенсивности торможения ионов здесь не обнаружено. Отмечена малая вероятность аннигиляции вакансий и междоузлий внутри нанокристаллов Si, объясняемая наличием энергетического барьера. PACS: 61.46.Hk, 61.80.Jh, 61.72.Tt, 78.55Ap, 81.40.Wx

L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla. J. Appl. Phys., 96, 5947 (2004)
L.A. Marques, L. Pelaz, J. Hernandez, J. Barbolla. Phys. Rev. B, 64, 045 214 (2001).
D.K. Yu, R.Q. Zhang, S.T. Lee. Phys. Rev., 65, 245 417 (2002)
A. Cheung, G. de M. Azevedo, C.J. Glover, D.J. Liewellyn, R.G. Ellimann, G.J. Foran, M.C. Ridgway. Appl. Phys. Lett., 84, 278 (2004)
J.C. Barbour, D. Dimos, T.R. Guillinger, M.J. Kelly. Nanotechnology, 3, 202 (1992)
L.G. Jacobsohn, B.L. Bennett, D.W. Cooke, R.E. Muenchausen, M. Nastasi. J. Appl. Phys., 97, 033 528 (2005)
G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovsky, O. Kaitasov, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth. B, 147, 356 (1999)
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34, 1004 (2000)
D. Pacifici, E.C. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, F. Priolo, F. Iacona. Phys. Rev. B, 65, 144 109 (2002)
A.L. Tchebotareva, M.J.A. de Dood, J.S. Bitten, H.A. Atwater, A. Polman. J. Luminesc., 114, 137 (2005)
Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.М. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker. ФТП, 40, 75 (2006)
S. Cheylan, N. Langford, R.G. Elliman. Nucl. Instr. Meth. B, 166-- 167, 851 (2000)
Y.Q. Wang, R. Smirani, G.G. Ross. Appl. Phys. Lett., 86, 221 920 (2005)
M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubio. Phys. Rev. B, 55, 14 279 (1997)
T. Motooka. Phys. Rev. B, 49, 16 367 (1994)
D.M. Stock, B. Weber, K. Gaertner. Phys. Rev. B, 61, 8150 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель