Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
Построена обобщенная модель роста нитевидных нанокристаллов на активированных поверхностях по механизму пар-жидкость-кристалл. Проведены экспериментальные исследования зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au, от скорости осаждения GaAs. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных результатов и показано их хорошее соответствие. Показано, что зависимость высоты кристаллов от скорости осаждения имеет максимум, положение которого определяется прочими условиями осаждения и радиусом капли. В случае нитевидных нанокристаллов GaAs со средним радиусом порядка 20 нм указанный максимум соответствует скорости осаждения 0.5-0.6 монослоев в секунду. PACS: 68.70.+w, 61.46.Hk, 68.55.Ac
- Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
- R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
- V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004)
- L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
- K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi, K. Ogawa, T. Katsuyama, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys., 74, 3162 (1993)
- W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. J. Cryst. Growth. 272, 211 (2004)
- V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth., 289, 31 (2006)
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand. ФТП. 40, 1103 (2006)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев. Письма ЖТФ, 32 (24), 10 (2006)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
- M.C. Plante, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 286, 394 (2006)
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. J. Cryst. Growth, 304, 504 (2007)
- L.E. Froberg, W. Seifert, J. Johansson. Phys. Rev. B, 76, 153 401 (2007)
- V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
- J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 101 (2005)
- F. Glas, J.C. Harmand, J. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146 101 (2007)
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. B, 77, 035 414 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
