Исследовано влияние взаимодействия спинов на ширину и форму линии электронного парамагнитного резонанса в компенсированном и некомпенсированном n-Ge : As. При ориентации магнитного поля вдоль оси [100] независимо от степени компенсации ширина резонансной линии уменьшается с приближением к критической концентрации для фазового перехода изолятор-металл в результате усиления обменного взаимодействия спинов и увеличения времени спиновой релаксации. Когда магнитное поле направлено вдоль других осей, в компенсированных образцах возникает добавочное уширение линии, которое определяется влиянием на g-фактор флуктуаций внутреннего электростатического поля через вызванные ими напряжения. Для хорошо проводящих образцов, когда толщина скин-слоя становится меньше толщины образца, линия приобретает несимметричную (дайсоновскую) форму. При этом характерное для такой формы линии отношение крыльев производной определяется отношением скоростей диффузии спина и его релаксации. PACS: 71.20.Mg, 71.30.th,76.30.Da

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.