"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электрического поля при получении пленок a-SiOx : H<Er,O> методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия
Ундалов Ю.К.1, Теруков Е.И.1, Гусев О.Б.1, Лебедев В.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук, Гатчина, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Исследовано влияние электрического поля на элементный состав и фотолюминесценцию пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием и кислородом (a-SiOx : H<Er,O>), при получении их методом магнетронного распыления на постоянном токе. Изучались две серии пленок в зависимости от напряженности электрического поля магнетрона, от площади металлической эрбиевой мишени и от содержания кислорода в рабочей камере. Первая серия пленок была получена при электрически изолированном подложкодержателе, вторая --- при положительном потенциале на подложкодержателе относительно катода. Показано, что, хотя характер изменения элементного состава и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия Er3+ в пленках двух серий значительно различаются, в обоих случаях они, в итоге, определяются процессами распыление--окисление Si- и Er-мишений, являющихся катодом. PACS: 78.55.Qr, 81.05.Gc, 81.15.Jj
  • Ю.К. Ундалов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, В.Х. Кудоярова. ФТП, 37, 853 (2003)
  • Ю.К. Ундалов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, В.Х. Кудоярова. ФТП, 39, 979 (2005)
  • Л. Леб. Основные процессы электрических разрядов в газах (М.-Л., Гос. изд-во технико-теорет. лит., 1950)
  • Распыление под действием бомбардировки частицами: вып. 3, под ред. Р. Бериша, К. Виттмака (М., Мир, 1998). [Пер. с англ.: Sputtering by particle bombardment, pt. 3, ed. by R. Behrisch, K. Wittmaack (Springer-Verlag, Berlin, 1991)]
  • G. Drevillon, J. Huc, A. Lloret, J. Perrin, G. de Rosny, J.P.M. Schmitt. Appl. Phys. Lett., 37, 646 (1980)
  • F.J. Kammpas. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by J.J. Pankov (N.Y., 1984) v. 21A, p. 153
  • G.E. Gavrilov, A.G. Krivchitch, V.M. Lebedev. Nucl. Instr. Meth., A515, 108 (2003)
  • В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, Ю.А. Кудрявцев, Б.Я. Бер, Г.М. Гусинский, W. Fuhs, G. Weiser, H. Kuehne. ФТП, 32, 1384 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.