"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности формирования нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния при молекулярно-пучковой эпитаксии
Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Цырлин Г.Э.1,2,3, Егоров В.А.1,3, Поляков Н.К.1,2,3, Улин В.П.2, Дубровский В.Г.2,3
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Представлены результаты экспериментального исследования роста, морфологии и структуры нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния. Показано, что рост в непланарной геометрии позволяет выращивать эпитаксиальные нитевидные нанокристаллы (ННК) в системе с большим рассогласованием решеток. Проведены исследования и анализ роста на пористых подложках, влияния ориентации поверхности, высокотемпературного отжига, наличия окисного слоя и некоторых других эффектов, характерных для роста ННК AIIIBV на поверхности Si. Получено интенсивное излучение от массива GaAs ННК, выращенных на поверхности Si(111). PACS: 68.37.Hk, 68.70.+w, 81.05.Ea, 81.07.-b, 81.15.Hi, 81.40.Tv
  • R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  • Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  • F. Glas. Phys. Rev. B, 74, 121 302 (2006)
  • L.C. Chuang, M. Moewe, C. Chase, N.P. Kobayashi, C. Chang-Hasnain, S. Crankshaw. Appl. Phys. Lett., 90, 043 115 (2007)
  • A. Sarkar, I. Kimukin, C.W. Edgar, S. Yi, M. Saif Islam. J. Nanophoton, 2, 021 775 (2008)
  • E. Bakkers, M. Borgstrom, W. van den Einden, M. van Weert, A. Helman, M. Verheijen. ECS Trans., 3, 415 (2006)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, В.Н. Неведомский, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. ФТТ, 49, 1373 (2007)
  • А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП, 38, 1256 (2004)
  • Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
  • J.C. Harmand, M. Tchernycheva, G. Patriarche, L. Travers, F. Glas, G. Cirlin. J. Cryst. Growth, 301--302, 853 (2007)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, R.A. Suris, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Surf. Sci., 601, 4395 (2007)
  • В.П. Улин, С.Г. Конников. ФТП, 41, 854 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.