Влияние gamma-облучения на механизм переноса тока в гетероструктурах n-CdS/p-CdTe
Музафарова С.А.1, Мирсагатов Ш.А.1, Джамалов Ф.Н.1
1Физико-технический институт, Научно-производственное объединение "Физика солнца" Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.
Рассматривается влияние облучения gamma-квантами на механизм переноса тока в гетероструктуре n-CdS/p-CdTe. Показано, что прямая вольт-амперная характеристика гетероструктуры n-CdS/p-CdTe до и после облучения описывается двумя экспоненциальными зависимостями: I=I0exp(qV/C01kT) и I=I02exp(qV/C02kT). Выявлено, что на первом участке вольт-амперной характеристики ток ограничивается термоэлектронной эмиссией, на втором участке - рекомбинацией неравновесных носителей заряда в электронейтральной части твердого раствора CdTe1-xSx на гетерогранице n-CdS/p-CdTe. Аномальные дозовые зависимости параметров гетеросистемы n-CdS/p-CdTe объяснены изменением степени компенсации локальных центров на границе раздела CdS-CdTe1-xSx и в слоях CdTe1-xSx в зависимости от дозы облучения gamma-квантами. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Lq, 61.82.Fk, 71.55.Gs, 81.40.Wx
- G. Khrypunov, A. Romeo, F. Kurdesau, D.L. Batzner, H. Zogg. Solar Cells. Energy Mater. \& Solar Cells, 90, 664 (2006)
- D.L. Batzner, A. Romeo, M. Terheggen, M. Dobeli, H. Zogg, A.N. Tiwari. Thin Sol. Films, 451--452, 536 (2004)
- M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kayudanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3503 (1999)
- K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 12 (10), 1641 (1973)
- Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41 (8), 915 (2005)
- Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Матер. конф. "Физика в Узбекистане" (Узбекистан, Ташкент, 27--28 сентября 2005 г.) c. 97
- Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, Б.У. Айтбаев. Матер. респ. конф. "Рост, свойства и применение кристаллов" (Узбекистан, Нукус, 27--29 октября2005 г.) с. 55
- Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Укр. физ. журн., N 11--12, 1126 (2006)
- С.А. Музафарова, Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов. ФТТ, 49 (6), 1111 (2007)
- S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys., 89 (8), 3707 (2001)
- S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2689 (2000)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
- Дж. Динс, А. Дамаск. Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1972)
- Х.Х. Маннанова, Х.Р. Ниязов, О.Р. Ниязова. В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах (Ташкент, Фан, 1969) с. 41
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационне эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
- M. Yamaguchi, S.J. Taylor, M. Ju Yang, S. Matsuda, O. Kawasaki, T. Hisamatsu. Jpn. J. Appl. Phys., 35 (7), Pt 1, 3918 (1996)
- M. Imaizumi, S.J. Taylor, M. Yamaguchi, T. Ito, T. Hisamatsu, S. Matsuda. J. Appl. Phys., 85 (3), 1916 (1999)
- В.И. Стафеев. ЖТФ, 29 (8), 1631 (1958)
- A.M. Goodmann. J. Appl. Phys., 32 (11), 2550 (1961)
- K. Zanio. Cadmium Telluride. In: Semiconductors and Semimetals (N.Y., Academic Press, 1978) v. 13
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук