Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника n-ZrNiSn. Акцепторная примесь Fe

Ромака В.А., Стаднык Ю.В.¹, Fruchart D.², Ромака Л.П.¹, Горынь А.М.¹, Гореленко Ю.К.¹, Доминюк Т.И.³

¹Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

²Лаборатория Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
³Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

Поступила в редакцию: 17 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы структурные, энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного примесью Fe (концентрации N_Fe~9.5·10¹⁹-3.8·10²¹ см^-3) в температурном диапазоне T=80-380 K. Показано, что атомы Fe одновременно занимают кристаллографические позиции атомов Zr и Ni в разных соотношениях, являясь дефектами донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. PACS: 71.20.Nr, 72.15.Gd, 72.20.Pa

В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, Л.Г. Аксельруд, В.В. Ромака, D. Fruchart, P. Rogl, В.Н. Давыдов, Ю.К. Гореленко. ФТП, 42, 769 (2008)
В.А. Ромака, D. Fruchart, В.В. Ромака и др. ФTП, 43 (1), 11 (2009)
T.M. Tritt, M.A. Subramanian. MRS Bulletin, 31, 188 (2006)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
V.K. Pecharsky, P.Y. Zavalij. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials (N. Y., Springer, 2005)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, D. Fruchart, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41, 1059 (2007)
Б.И. Шкловский. ФТП, 7, 112 (1973)
H. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель