На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров Nd-Na=<q3·1017 см-3 в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик. PACS: 71.30.+h, 72.15.Gd, 72.20.Fr
А.А. Лебедев, Н.В. Агринская, П.Л. Абрамов, В.И. Козуб, Г.А. Оганесян, Л.М. Сорокин, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур. Письма ЖТФ, 33, 24 (2007)
A.A. Lebedev, P.L. Abramov, N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub, A.N. Kuznetsov, S.P. Lebedev, G.A. Oganesyan, L.M. Sorokin, A.V. Chernyaev, D.V. Shamshur. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19 (2008)
А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, М.П. Щеглов, А.С. Трегубова, M. Suvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 41, 273 (2007)
А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, R. Yakimova. Письма ЖТФ. 33 (12), 61 (2007)
A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
А. Розенгрин. В кн.: Карбид кремния, под ред. Г. Хэниша, Р. Роя (М., Мир, 1972) с. 193
B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. In: Hopping Transport in Solids, ed. by M. Pollak, B. Shklovskii (Elsevier, 1991) p. 271
В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2003)
N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology (Processing and Novel Fabrication Techiques), ed. by M.E. Levinshtein, M.S. Shur (John Wiley, N.Y., 1997) p. 1
L. Latu-Romain, D. Chaussende, C. Balloud, S. Juillaquet, L. Rapenne, E. Pernot, J. Camassel, M. Pons, R. Madar. Mater. Sci. Forum, 527-529, 99 (2006)