"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоприемник с управляемой напряжением спектральной характеристикой фоточувствительности на основе CdxHg1-xTe
Исмайлов Н.Д.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 24 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

На основе структуры Al-n-CdxHg1-xTe с тонким диэлектрическим зазором реализован фотоприемник с управляемой напряжением смещения спектральной характеристикой фотоответа. Особенности спектральной характеристики фототока объясняются изменением соотношения между поверхностным и объемным компонентами фототока при изменении напряжения смещения. Показана возможность одновременной регистрации и управления спектральной характеристикой фоточувствительности на краю фундаментального поглощения и в коротковолновой области спектра. PACS: 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.61.Ga, 73.40.Gv
  • Е.П. Мацасс, А.И. Власенко, Е.А. Сальков, О.В. Снитко, А.В. Любченко. УФЖ, 26, 670 (1981)
  • N.J. Ismailov, E.K. Guseinov. Tr. J. Phys., 18 (4), 669 (1994)
  • В.Л. Бакуменко, А.Н. Свиридов. Прикл. физика, вып. 2, 34 (1999)
  • В.А. Зуев, В.Г. Попов. Фотоэлектрические МДП-приборы (М., Радио и связь, 1983)
  • L. Pahun, Y. Campidelli, F. Arnaud d'Advitava, P.A. Bodoz. Appl. Phys. Lett., 10 (60), 1166 (1992)
  • Э.Ю. Салаев, Э.К. Гусейнов, А. Тезер, Н.Д. Исмайлов. ФТП, 31, 740 (1997)
  • В.А. Зуев, В.Г. Литовченко, В.Г. Попов, Г.А. Сукач. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып. 12, 32 (1973)
  • Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986) гл. 8, С. 276
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.