Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 3 » Статья стр. 412
<<<>>>
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambdacut off=4.5 мкм)
Закгейм А.Л.1, Зотова Н.В.2, Ильинская Н.Д.2, Карандашев С.А.2, Матвеев Б.А.2, Ременный М.А.2, Стусь Н.М.2, Черняков А.Е.1
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
PDF версия
Проведен анализ инфракрасных "собственных" и в отраженных лучах изображений флип-чип фотодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAsSb/n+-InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещении p-n-перехода, произведена оценка коэффициентов отражения от омических контактов. Обсуждается влияние глубины травления мезы и степени легирования подложек n+-InAs на спектральные характеристики и чувствительность фотодиодов, освещаемых со стороны n+-InAs в диапазоне 2.7-4.5 мкм. PACS: 85.60.Dw, 79.60.Jv
  1. S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. Proc. SPIE, 4651, 157 (2002)
  2. S.E. Alexandrov, G.A. Gavrilov, A.A. Kapralov, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, G.Y. Sotnikova, N.M. Stus'. Proc. SPIE, 4680, 188 (2002)
  3. M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus', N.D. Il'inskaya. Proc. SPIE, 6585, ISBN: 9780819467133, 658504; DOI: 10.1117/12.722847
  4. L.G. Bubulak, A.M. Andrews, E.R. Gertner, D.T. Longo. Appl. Phys. Lett., 36 (9), 734 (1980)
  5. B.A. Matveev, M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002)
  6. G.R. Nash, N.T. Gordon, D.J. Hall, M.K. Ashby, J.C. Little, G. Masterton, J.E. Hails, J. Giess, L. Haworth, M.T. Emeny, T. Ashley. Physica E: Low-Dim. Systems and Nanostructures 20, 540 (2004)
  7. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП. 40(6), 717 (2006)
  8. A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 41, 213 (2000)
  9. M.H.M. Reddy, J.T. Olesberg, C. Cao, J.P. Prineas. Semicond. Sci. Technol., 21 (3), 267 (2006)
  10. Б.Е. Журтанов, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, К.В. Калинина, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 42 (4), 468 (2008)
  11. А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, А.Е. Черняков. Прикл. физика, N 6, 143 (2008)
  12. В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 97 (2005)
  13. www.ioffeled.com
  14. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005)
  15. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов. ФТП, 38 (10), 1270 (2004)
  16. M. Aidaraliev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 18, 269 (2003)
  17. С.Т. Elliott. Phil. Trans. R. Soc. Lon. A, 359, 567 (2001)
  18. В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41, 257 (2007)
  19. X.Y. Gong, H. Kan, T. Makino, T. Iida, Yu.Z. Gao, M. Aguma, M. Kumagawa, T. Yamaguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 38 (Pt 1, No 2A), 685 (1999)
  20. A. Krier, W. Suleiman. Appl. Phys. Lett., 89, 083 512 (2006)
  21. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов, Н.Г. Тараканова. ФТП, 40 (8), 1004 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme