Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрохимические ячейки на монокристаллах In₂S₃

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Боднарь И.В.³, Ушакова Т.Н.²

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 31 марта 2008 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы тетрагональной модификации t-In₂S₃, на основе которых созданы фоточувствительные ячейки H₂O/t-In₂S₃, а также исследованы спектры их квантовой эффективности. Обнаружена широкополосная фоточувствительность ячеек H₂O/t-In₂S₃. На основании спектров фоточувствительности определен характер межзонных переходов и соответствующие им значения ширины запрещенной зоны t-In₂S₃. Показана возможность применения кристаллов t-In₂S₃ в широкополосных фотопреобразователях естественного и поляризованного излучений. Раскрыта связь энергетического спектра с фазовым состоянием кристаллов In₂S₃. PACS: 73.50.Pz, 78.20.Ci, 85.30.Hi

K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Parkins, S. Asher, F.S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, R. Noufi, J. Ward, A. Duda. Progr. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
A. Jasenek, U. Rau. J. Appl. Phys., 90, 650 (2001)
F. Kessler, D. Herrman, M. Powalla. Thin Sol. Films, 480- 481, 491 (2005)
A. Jager-Waldau. Solar Energy, 77, 667 (2004)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.И. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1979)
В.Б. Залесский, В.Ю. Рудь, В.Ф. Гременок, Ю.В. Рудь, Т.Р. Леонова, А.В. Кравченко, Е.П. Зарецкая, М.С. Тиванов. ФТП, 41, 992 (2007)
И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 37, 1346 (2003)
G.A. Steigman, H.H. Sutherland, J. Goodyear. Acta. Cryst., 19, 967 (1965)
G.S.D. King. Acta Cryst., 15, 512 (1962)
P. Buck. J. Appl. Cryst., 6, 1 (1973)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель