Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость емкости германиевых p⁺-p-переходов от тока в области температур 290-330 K

Шеховцов Н.А.¹

¹Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, Харьков, Украина Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 14 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована зависимость дифференциальной емкости от тока германиевых p⁺-p-переходов с удельным сопротивлением p-области 45, 30 и 10 Ом·см в области температур 290-350 K. Показано, что характер зависимости емкости p⁺-p-перехода от тока изменяется при увеличении температуры перехода. При температуре 290 K емкость с ростом обратного тока уменьшается и изменяет знак с положительного на отрицательный, а с ростом прямого тока увеличивается. При температуре 330 K емкость с ростом обратного тока уменьшается до минимума с положительным значением, а с ростом прямого тока изменяет знак на отрицательный. При температуре 310 K емкость p⁺-p-перехода может изменять знак с положительного на отрицательный с ростом прямого и обратного тока. Полагается, что положительная и отрицательная емкость p⁺-p-перехода обусловлена изменением заряда в области перехода внешним напряжением. PACS: 73.40.Lq

Дж. Артур, В. Бардсли, М. Браун, А. Гибсон. Проблемы физики полупроводников (М., Изд-во иностр. лит., 1957) с. 205
Р. Брэй. Проблемы физики полупроводников (М., Изд-во иностр. лит., 1957) с. 221
J.B. Arthur, A.P. Gibson, J.B. Gunn. Proc. Phys. Soc., B69 (7), 705 (1958)
J.B. Gunn. J. Electron. Control, 4 (1), 17 (1958)
Э.Д. Прохоров, Н.А. Шеховцов, А.Д. Прохоров. РЭ, 9 (12), 2174 (1964)
Э.Д. Прохоров, Н.А. Шеховцов, А.Д. Прохоров. РЭ, 9 (11), 2014 (1964)
Л.И. Баранов, В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов. РЭ, 13 (8), 1434 (1968)
В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов. РЭ, 15 (3), 637 (1970)
Л.И. Баранов, В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов. Физика полупроводников и полупроводниковая электроника (Саратов, Изд-во Саратов. ун-та, 1970) вып. 3, с. 8
В.С. Елисеев, А.В. Зеленцов. Электрон. техн., сер. 3, N 1, 49 (1989)
G. Anant, A. Sabnis. J. Sol. St. Electron., 22 (7), 667 (1979)
Н.А. Шеховцов. Радиофизика и электроника (Сб. тр. ИРЭ НАНУ, Харьков), 5 (1), 147 (2000)
Р.И. Гарисон, Дж. Цукер. Тр. Ин-та инженеров по электротехнике и радиоэлектронике, 54 (4), 157 (1966)
Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачук, С.Б. Ластовский. ФТП, 40 (7), 824 (2006)
W. Shockley. Bell Syst. Tech., 28 (3), 435 (1949)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель