Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al0.36Ga0.64As/In0.15Ga0.85As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In0.15Ga0.85As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs. PACS: 72.20.Ht, 72.10.Di, 73.40.Kp, 73.63.Hs
J.G. Ruch, G.S. Kino. Phys. Rev., 174, 921 (1968)
G. Hill, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 589 (1982)
W. Fawcett, A.D. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
J. Pozela, A. Reklaitis. Sol. St. Electron., 23, 927 (1980)
Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
J. Pov zela, K. Pov zela, A. Suv ziedelis, V. Juciene, V. Petkun. Acta Phys. Polon. A, 113, 989 (2008).
V.G. Mokerov, J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene. Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors. Series: Springer Proc. in Physics, v. 110, ed. by M. Saraniti, U. Ravaioli (Berlin, Heidelberg, Springer, 2006) p. 245
Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, С. Балакаускас, В.П. Евтихиев, А.С. Школьник, Ю. Стораста, А. Мекис. ФТП, 41, 1460 (2007)
Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007)
J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 47, 41 (2007)
M. Tomizawa, K. Yokoyama, A. Yoshii. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-5, 464 (1984)
M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.--London, Plenum Press, 1986) p. 542
M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.--London, Plenum Press, 1986) p. 412
M. Inoue, K. Ashida, T. Sugino, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Jpn. J. Appl. Phys., 12, 932 (1973)