Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире

Александров П.А.¹, Демаков К.Д.¹, Шемардов С.Г.¹, Кузнецов Ю.Ю.¹

¹Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 18 июня 2008 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Малодефектные кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с использованием процесса твердофазной рекристаллизации. Для оценки кристаллического качества структур кремний-на-сапфире применялась рентгеновская кривая качания. Значения ширины на половине высоты максимума интенсивности (FWHM) показывают, что после имплантации ионов кислорода (энергия 130 кэВ, доза 1·10¹⁵ см^-2) и последующего отжига (550^oC/0.5 ч + 1000^oC/1 ч) образуется кремниевый слой толщиной d=1000-2500 Angstrem высокого кристаллического качества. PACS: 61.72.Dd, 61.72.Ff, 61.72.Tt, 61.80.Jh, 68.55.Jk

Ю.Ф. Козлов, В.В. Зотов. Структуры кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение (М., МИЭТ, 2004)
А.Ю. Игнатов, В.С. Постолов, А.С. Филимонов. VI Межд. конф., "Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии" (Кисловодск--Ставрополь, 2006) с. 510
T. Inoue, T. Yoshii. Nucl. Instrum. Meth. 182/183, 683 (1981)
I. Golecki. United Stataes Patent, No. 4 588 447 (1986)
R.E. Reedy, T.W. Sigmon, L.A. Christel. Appl. Phys. Lett., 42 (8), 707 (1983)
M.L. Burgener, R.E. Reedy. United States Patent, No. 5 416 043 (1995)
T. Nakamura, Y. Nagatomo. Oki Technical Review, 74 (4), 66 (2004)
Y. Yamamoto, H. Kobayashi, T. Takahashi, T. Inada. Nucl. Instrum. Meth. B, 7/8, 273 (1985)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, Ю.Ю. Кузнецов, С.Г. Шемардов. Сб. аннотаций докл. конф. по физике конденсир. сост., сверхпровод. и материаловед. (М., 2007) с. 54
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Научн. сессия МИФИ-2008. Сб. науч. трудов (М., Россия, 2008) т. 7, с. 146
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
M.A. Parker, R. Sinclair, T.W. Sigmon. Appl. Phys. Lett., 47 (6), 626 (1985)
R.L. Maddox, I. Golecki. Electron. Lett., 21 (4), 154 (1985)
E.D. Richmond, A.R. Knudson. Thin Sol. Films, 93, 347 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель