"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире
Александров П.А.1, Демаков К.Д.1, Шемардов С.Г.1, Кузнецов Ю.Ю.1
1Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Малодефектные кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с использованием процесса твердофазной рекристаллизации. Для оценки кристаллического качества структур кремний-на-сапфире применялась рентгеновская кривая качания. Значения ширины на половине высоты максимума интенсивности (FWHM) показывают, что после имплантации ионов кислорода (энергия 130 кэВ, доза 1·1015 см-2) и последующего отжига (550oC/0.5 ч + 1000oC/1 ч) образуется кремниевый слой толщиной d=1000-2500 Angstrem высокого кристаллического качества. PACS: 61.72.Dd, 61.72.Ff, 61.72.Tt, 61.80.Jh, 68.55.Jk
  • Ю.Ф. Козлов, В.В. Зотов. Структуры кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение (М., МИЭТ, 2004)
  • А.Ю. Игнатов, В.С. Постолов, А.С. Филимонов. VI Межд. конф., "Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии" (Кисловодск--Ставрополь, 2006) с. 510
  • T. Inoue, T. Yoshii. Nucl. Instrum. Meth. 182/183, 683 (1981)
  • I. Golecki. United Stataes Patent, No. 4 588 447 (1986)
  • R.E. Reedy, T.W. Sigmon, L.A. Christel. Appl. Phys. Lett., 42 (8), 707 (1983)
  • M.L. Burgener, R.E. Reedy. United States Patent, No. 5 416 043 (1995)
  • T. Nakamura, Y. Nagatomo. Oki Technical Review, 74 (4), 66 (2004)
  • Y. Yamamoto, H. Kobayashi, T. Takahashi, T. Inada. Nucl. Instrum. Meth. B, 7/8, 273 (1985)
  • П.А. Александров, К.Д. Демаков, Ю.Ю. Кузнецов, С.Г. Шемардов. Сб. аннотаций докл. конф. по физике конденсир. сост., сверхпровод. и материаловед. (М., 2007) с. 54
  • П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Научн. сессия МИФИ-2008. Сб. науч. трудов (М., Россия, 2008) т. 7, с. 146
  • П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
  • M.A. Parker, R. Sinclair, T.W. Sigmon. Appl. Phys. Lett., 47 (6), 626 (1985)
  • R.L. Maddox, I. Golecki. Electron. Lett., 21 (4), 154 (1985)
  • E.D. Richmond, A.R. Knudson. Thin Sol. Films, 93, 347 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.