"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC
Потапов А.С.1, Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Исследовано влияние отжига на электрические свойства 50 никелевых контактов Шоттки, сформированных на одной пластине 4H-SiC. Показано, что отжиг при температуре 200oC в течение 1 ч способствует гомогенизации гетерограницы металл-полупроводник, что приводит к уменьшению разброса параметров контактов --- фактора неидеальности и эффективной высоты барьера. При более высоких температурах отжига (350-450oC) разброс этих параметров вновь увеличивается, по-видимому, из-за локального химического взаимодействия никеля с карбидом кремния. PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns
  • D.J. Ewing, L.M. Porter, Q. Wahab, X. Ma. J. Appl. Phys., 101, 114 514 (2007)
  • W. Bahng, H.J. Cheong, I.H. Kang, S.J. Kim, S.C. Kim, S.-J. Joo, N.-K. Kim. Mater. Sci. Forum, 556- 557, 595 (2007)
  • Y. Negoro, K. Katsumoto, T. Kimoto, H. Matsunami. Mater. Sci. Forum, 457- 460, 933 (2004)
  • X. Ma, P. Sadagopan, T.S. Sudarshan. Phys. Status Solidi A, 203 (3), 643 (2006)
  • Q. Wahab, T. Kimoto, A. Ellison, C. Hallin, M. Tuominen, R. Yakimova, A. Henry, J.P. Bergman, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 72 (4), 445 (1998)
  • П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 43 (2), 197 (2009)
  • F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri, P. Musumeci, L. Calcagno, G.G. Condorelli. Appl. Phys. A, 77, 827 (2003)
  • K. Vassilevski, I. Nikotina, P. Bhatnagar, A. Horsfall, N. Wright, A.G. O'Neill, M. Uren, K. Hilton, A. Munday, A. Hydes, C.M. Johnson. Mater. Sci. Forum, 527- 529, 931 (2006)
  • Q. Zhang, T.S. Sudarshan. J. Electron. Mater., 30 (11), 1466 (2001)
  • D. Defives, O. Noblanc, C. Dua, C. Brylinski, M. Barthula, V. Aubry-Fortuna, F. Meyer. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (3), 449 (1999)
  • B.J. Skromme, E. Luckowski, K. Moore, M. Bhatnagar, C.E. Weitzel, T. Gehoski, D. Ganser. J. Electron. Mater., 29 (3), 376 (2000)
  • R.F. Schmitsdorf, T.U. Kampen, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (4), 1221 (1997)
  • D.J. Ewing, Q. Wahab, S. Tumakha, L.J. Brillson, X.Y. Ma, T.S. Sudarshan, L.M. Porter. Mater. Sci. Forum, 527- 529, 911 (2006)
  • A. Kestle, S.P. Wilks, P.R. Dunstan, M. Pritchard, G. Pope, A. Koh, P.A. Mawby. Mater. Sci. Forum, 338- 342, 1025 (2000)
  • F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri. J. Appl. Phys., 93 (11), 9137 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.