"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах AlxGa1-xAs
Маркосов М.С.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Выполнен анализ ширины линии основного состояния экситонного поглощения в квазибинарных твердых растворах AlxGa1-xAs (x=0.15) высокого совершенства по экспериментальным данным работы Сейсяна и др. (2005). Спектральное разложение линии 1s состояния выполнено с учетом деформационного расщепления, составляющих поглощения с лоренцевым и гауссовым контурами и перекрытия с уширяющимся при повышении температуры континуумом состояний. В связи с видом температурной зависимости поглощения, характерным для экситонных поляритонов в средах с пространственной дисперсией, выполнен анализ интегрального поглощения, с критическим значением параметра диссипативного затухания экситона Gammac=0.32 мэВ и поглощением насыщения Kmax=89.5 эВ/см, позволяющий выделить однородную составляющую уширения, которая вплоть до критической температуры Tc=155 К не превышает 0.2 мэВ. Найдено, что "естественная" ширина линии 1s-экситона не превышает 2.6 мэВ (при T=1.7 К), что согласуется с теоретическими оценками. При T=1.7-60 К неоднородное уширение экситонного максимума, связанное с локализацией и рассеянием экситонов на флуктуациях состава, более чем на порядок превышает вклады ионизированных примесей и фононов и является доминирующим, однако оно не влияет на интегральное поглощение экситонными поляритонами. PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq
  • Н.Н. Аблязов, М.Э. Райх, А.Л. Эфрос. ФТТ, 24, 353 (1983)
  • O. Goede, L. John, and D.H. Hennig. Phys. Status Solidi B, 89, K183 (1978)
  • S.M. Lee, K.K. Bajaj. J. Appl. Phys., 73, 1788 (1993)
  • R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov, M.A. Markosov, T.A. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakanov, A.I. Toropov. Phys. Status. Solidi C, 2, 900 (2005)
  • Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин, М.С. Маркосов. ФТП, 11, 1321 (2006)
  • G. Beadie, W.S. Rabinovich, D.S. Katzer, M. Goldenberg. Phys. Rev. B, 55, 9731 (1997)
  • Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 2, 373 (1994)
  • A.R. Goni, A. Cantarero, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 41, 14 10111 (1990)
  • Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  • Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 4 (10), 1534 (1980)
  • V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Techn., 8 (7), 1235 (1993)
  • Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ, 5, 869 (1998)
  • G.N. Aliev, N.V. Lukyanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Hibbs, G. Hitrova. Phys. Status Solidi A, 93, 164 (1997)
  • S. Rudin, T.L. Reinecke, B. Segall. Phys. Rev. B, 17, 11 218 (1990)
  • Sadao Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  • Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationshipin Science and Technology. New Series: Group III, v. 17. [ Physics of Group IV Elements and III-V Compounds, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, 1982)]
  • L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
  • M. El Allali, C.B. S rensen, E. Veje, P. Tidemand-Petersson, Phys. Rev. B, 7, 4398 (1993)
  • K.S. Zhuravlev, A.I. Toropov, T.S. Shamirzaev, A.K. Bakarov. Appl. Phys. Lett., 9, (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.