Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Плотность каскадов смещений кластерного иона: методика расчета и влияние на образование структурных нарушений в ZnO и GaN

Карасёв П.А.¹, Азаров А.Ю.¹, Титов А.И.¹, Кучеев С.О.²

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, California, USA

Поступила в редакцию: 8 июля 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен метод статистического расчета параметров усредненного индивидуального каскада столкновений, создаваемого кластерным ионом, состоящим из небольшого числа атомов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными по накоплению структурных нарушений в ZnO и GaN, облучаемых при комнатной температуре ионами PF_n (n=0,2,4), с энергией 1.3 кэВ/а.е.м. Показано, что для ZnO плотность каскада смещений не оказывает влияния на концентрацию стабильных постимплантационных повреждений в районе объемного пика, но существенно влияет на нее в приповерхностной области. Для GaN с ростом плотности каскада смещений наблюдается как рост концентрации стабильных дефектов в области объемного максимума дефектов, так и увеличение толщины поверхностного аморфного слоя. PACS: 61.80.Jh, 61.80.Az, 61.80.Lj, 61.82.Fk, 61.18.Bn, 78.20.Bh

I. Yamada. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 257, 632 (2007)
H.-J.L. Gossmann. J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 267 (2008)
N. Winograd. Anal. Chem., 77, 143 (2005)
A. Kirkpatrick. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 206, 830 (2003)
D.A. Thompson. Rad. Eff., 56, 105 (1981)
A.I. Titov, V.S. Belyakov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 194, 323 (2002)
A.I. Titov, S.O. Kucheyev, V.S. Belyakov, A.Yu. Azarov. J. Appl. Phys., 90, 3867 (2001)
J.A. Brinkman. J. Appl. Phys., 25, 961 (1954)
D.C. Look. Mater. Sci. Eng. B, 8, 383 (2001)
S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, C. Evans, A.J. Nelson, A.V. Hamza. Phys. Rev. B, 67, 094 115 (2003)
K. Lorenz, E. Alves, E. Wendler, O. Bilani, W. Wesch, M. Hayes. Appl. Phys. Lett., 87, 191 904 (2005)
S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
S.O. Kucheyev, J.S. Williams, S.J. Pearton. Mater. Sci. Eng., R. 33, 51 (2001)
S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, G. Li. Phys. Rev. B, 62, 7510 (2000)
S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, G. Li, A.I. Titov. Phys. Rev. B, 64, 035 202 (2001).
S.O. Kucheyev, J.S. Williams, J. Zou, G. Li, C. Jagadish, A.I. Titov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Rev. B, 190, 782 (2002)
E. Wendler, A. Kamarou, E. Alvers, K. Gaertner, W. Wesch. Nucl. Instrum. Math. Phys. Res. B, 206, 1028 (2003)
A.I. Titov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 149, 129 (1999)
И.А. Аброян, Л.М. Никулина. ФТП, 31, 1164 (1997)
A.I. Titov, A.Yu. Azarov, L.M. Nikulina, S.O. Kucheyev. Phys. Rev. B, 73, 064 111 (2006)
A.I. Titov, A.Yu. Azarov, L.M. Nikulina, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 256, 207 (2007)
А.Ю. Азаров, А.И. Титов. ФТП, 41, 7 (2007)
A.Yu. Azarov, S.O. Kucheyev, A.I. Titov, P.A. Karaseov. J. Appl. Phys., 102, 083547-1 (2007)
A.Yu. Azarov, A.I. Titov, S.O. Kucheyev. Book reports XVIII Int. Conf. Ion--Surface Interactions ISI 2007 (Zvenigorod, Russia, 2007) v. 2, P. 235
S.O. Kucheyev, J.S. Williams, A.I. Titov, G. Li, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 78, 2694 (2001)
J.A. Davies. In: Ion Implantation and Beam Processing, ed. by J.S. Williams, J.M. Poate (Academic Press, N.Y., 1984)
R.S. Walker, D.A. Thompson. Rad. Eff., 37, 113 (1978)
J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids (N.Y., Pergamon, 1985), v. 1, p. 109; www.srim.org
T. Aoki, J. Matsuo, G. Takaoka. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 202, 278 (2003)
D.C. Look, G.C. Farlow, P. Reunchan, S. Limpijumnong, S.B. Zhang, K. Nordlund. Phys. Rev. Lett., 95, 225 502 (2005)
K. Schmid. Rad. Eff., 17, 201 (1973)
А.Ю. Азаров. ФТП, 38, 1445 (2004)
G.S. Tschumper, J.T. Fermann, H.F. Schaefer. J. Chem. Phys., 104, 3676 (1996)
S.O. Kucheyev, A.Yu. Azarov, A.I. Titov, P.A. Karaseov. В печати.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель