Связь между измеряемыми токами и зарядами в образце при диагностике неоднородных диэлектрических пленок
Дмитриев С.Г.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 24 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Представлено соотношение между измеряемыми токами и токами в образце при диагностике неоднородных диэлектрических пленок. Рассмотрены примеры с многослойными структурами и квазистатическими методами диагностики, с учетом токов через границы раздела пленки и другие примеры. PACS: 73.40.Qv, 82.32.-y, 84.37.+q
- E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal--Oxdide--Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., J. Willey \& Sons, 1982)
- W. Schockley. J. Appl. Phys., 9 (10), 635 (1938)
- S. Ramo. Proc. IRE, 27 (9), 584 (1939)
- E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36 (5), 1664 (1965)
- N.J. Chou. J. Electrochem. Soc., 118, 601 (1971)
- M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc., 118 (6), 966 (1971)
- C.T. Sah, H.S. Fu. Phys. Status Solidi A, 11 (1), 297 (1972)
- D.J. DiMaria. In: The Physics of SiO2 and its Interfaces, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Pergamon Press, 1978) p. 160
- Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
- V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. Progr. Surf. Sci., 41 (2), 111 (1992)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, В.Е. Сизов. РЭ, 51 (2), 133 (2006)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 42 (1), 45 (2008)
- S.L. Miller, D.M. Fleetwood, P.J. McWhorter, R.A. Reber, jr., J.R. Murrey. J. Appl. Phys., 74 (8), 5068 (1993)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. РЭ, 48 (3), 345 (2003)
- D.M. Boulin, J.R. Brews, E.H. Nicollian. Sol. St. Electron., 27 (11), 977 (1984)
- M. Yamin. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-12 (3), 88 (1965)
- D.R. Kerr. Proc. Int. Conf. on Properties and Use of MIS Structures, ed. by J. Bovel (Grenoble, France, 1969) p. 303
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, В.Е. Сизов. РЭ, 51 (6), 763 (2006)
- C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13 (10), 701 (1966)
- P.M. Lenahan, J.F. Conley, jr. J. Vac. Sci. Technol. B, 16 (4), 2134 (1998)
- P. Balk. Microelectronic Eng., 48, 3 (1999)
- D.M. Fleetwood, M.R. Shaneyfelt, W.L. Warren, J.R. Schwank, T.L. Meisenheimer, P.S. Winokur. Microelectron. Reliab., 35 (3), 403 (1995)
- M. Pepper. J. Phys. C, 10 (16), L445 (1977)
- J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin. Silicon VLSI Technology. Fundamentals, Practice and Modeling (Upper Saddle River, NJ 07458, Prentice Hall, 2000)
- L. Stauffer, T. Willey, T. Tiwald, R. Hance, P. Rai-Choudhury, D.R. Schroder. Sol. St. Technol., 38 (8), S3 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук