"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием
Рабенок Е.В.1, Гапанович М.В.1, Новиков Г.Ф.1, Один И.Н.2
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Московский государственный университет (химический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga2Te3 --- перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Bb, 61.72.uj, 73.50.Gr, 73.61.Ga, 78.60-b
  • М.В. Гапанович, Н.А. Радычев, Е.В. Рабенок, Д.Н. Войлов, И.Н. Один, Г.Ф. Новиков. Химия высоких энергий, 41 (2), 159 (2007). [M.V Gapanovich, N.A. Radychev, E.V. Rabenok, D.N. Voilov, I.N. Odin, G.F. Novikov. High Energy Chemistry, 41 (2), 126 (2007)]
  • Г.Ф. Новиков, Е.В. Рабенок, М.В. Алфимов. Химия высоких энергий, 39 (3), 204 (2005). [G.F. Novikov, E.V. Rabenok, M.V. Alfimov. High Energy Chemistry, 39 (3), 167 (2005)]
  • X. Mathew, P.J. Sebastian. Sol. Energy Mater. \& Sol Cells, 59, 85 (1999)
  • I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Technol., 17, 1064 (2002)
  • Ю.В. Метелева, Г.Ф. Новиков. ФТП, 40 (10), 1167 (2006). [Yu.V. Meteleva, G.F. Novikov. Semiconductors, 40 (10), 1137 (2006)]
  • Н.Л. Сермакашева, Г.Ф. Новиков, Ю.М. Шульга, В.Н. Семенов. ФТП, 38 (4), 395 (2004). [N.L. Sermakasheva, G.F. Novikov, Yu.M. Shul'ga et al. Semiconductors, 38 (4), 395 (2004)]
  • М.В. Чукичев, Б.М. Атаев, В.В. Мамедов, Я.И. Аливов, И.И. Ходос. ФТП, 38, 1053 (2002)
  • S.-H. Wie, S.B. Zhang. NCPV Program Review Meeting (Lakewood, Colorado, USA, 2001)
  • K.S. Chaplin, R.R. Krongard. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, MTT-9, 545 (1961)
  • R.J. Deri, J.P. Spoonhower. Phys. Rev. B, 25, 2821 (1982)
  • Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994)
  • П.М. Фочук, А..А Коровянко, И.Р. Туркевич, О.Е. Панчук. Неорг. матер., 38 (4), 435 (2002)
  • K. Mochizuki. J. Cryst. Growth., 215, 9 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.