"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP2 моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Вайполин А.А.2, Боднарь И.В.3, Осипова М.А.3, Ушакова Т.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 2 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP2. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP2. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. PACS: 61.10-i, 61.82.Fk
  • П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
  • В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев. Полупроводниковые соединения группы A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1978)
  • И.С. Горбань, В.В. Луговской, И.И. Тычина, А.В. Федотовский. Письма ЖЭТФ, 17, 193 (1973)
  • А.А. Вайполин, Ю.А. Валов, Р.В. Масагутова, Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь. ФТП, 14, 133 (1980)
  • Ю.В. Рудь. Автореф. канд. дис. (Ульяновск, УльянГУ, 2005)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
  • А.А. Вайполин, Н.А. Горюнова, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь, Д.Н. Третьяков. ДАН СССР, 154, 1116 (1964)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
  • E. Hermandes. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
  • Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  • Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.