"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
Сошников И.П.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Надточий А.М.2, Дубровский В.Г.1,2, Букин М.А.4, Петров В.А.4, Бусов В.В.2, Трошков С.И.2
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N2 для синтеза массивов GaAs1-xNx нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500oC и составляет выше 2.7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600oC наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2.7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. PACS: 61.46.Hk, 78.55.-m
  • I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001)
  • Dilute Nitride Semiconductors, ed. M. Henini. ISBN: 978-0-08-044502-1, 2005
  • Y. Qiu, S.A. Nikishin, H. Temkin, V.A. Elyukhin, Yu.A. Kudriavtsev. Appl. Phys. Lett., 70, 2831 (1997)
  • А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1153 (1997)
  • I.P. Soshnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, N.V. Kryzhanovskaya, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, H. Kirmse, W. Neumann, O.M. Gorbenko, G. Lin, J. Wang, R.S. Shiao, J. Chi. Semicond. Sci. Technol., 19, 501 (2004)
  • Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, А.Р. Ковш, И.П. Сошников, А.Ф. Цацульников, H. Kirmse, W. Neumann, J.Y. Chi, J.S. Wang, L. Wei, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП 37, 1363 (2003)
  • F. Glas. Phys. Rev. B, 74, 121 302 (2006)
  • И.П. Сошников. Письма ЖТФ, 31 (15), 35 (2005)
  • V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth, 289, 31 (2006)
  • В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand. ФТП, 40, 1103 (2006)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  • Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, 147 (1973)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E, 70, 031 604 (2004)
  • W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. J. Cryst. Growth, 272, 211 (2004)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47, 2121 (2005)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, Н.В. Сибирев, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen. Письма ЖТФ, 34 (12), 88 (2008)
  • F. Glas, J.C. Harmand, J. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146 101 (2007)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. B, 77, 035 414 (2008)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 77, 031 606 (2008)
  • Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченг, К. Плог (М., Мир, 1989)
  • Modern Analytical Chemistry, ed. D. Harvey (Mc Graw-Hill, 2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.