Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 8 » Статья стр. 1065
<<<>>>
Кооперативные эффекты при импульсном саморазогреве p-i-n-диода
Горбатюк А.В.1, Серков Ф.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
PDF версия
Предложен вариант аналитической модели распределенных инжекционных и тепловых процессов, которые реализуются при саморазогреве полупроводникового p-i-n-диода. Рассчитаны переходные характеристики напряжения, обнаруживающие стадии предварительного и ускоренного разогрева, а также теплового пробоя. Исследованы закономерности эволюции концентрационных и температурных распределений в базе на этих стадиях и проиллюстрировано необычное явление - кратковерменное концентрационное обеднение инжекционного канала на стадиях, предшествующих термогенерационному увеличению концентраций и вхождению в пробой. Установлено, что механизмы этого явления заключаются в кооперативном взаимодействии эффектов температурно-градиентного дрейфа, термодиффузии плазмы и электрополевого снижения подвижности носителей. PACS: 44.10.+i, 73.40.Lq, 85.30.Kk
  1. А.В. Горбатюк, И.Е. Панайотти. Письма ЖТФ, 32, 37 (2006)
  2. А.В. Горбатюк, К.В. Игумнов. Письма ЖТФ, 34, 58 (2008)
  3. В.Н. Добровольский, С.П. Павлюк, А.В. Романов. ФТП, 15 (2), 411 (1981)
  4. В.Н. Добровольский, С.П. Павлюк. ФТП, 15, 120 (1981)
  5. I.V. Grekhov. Proc. 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf., ed. by G. Cooperstein, I. Vitkovsky (Baltimore, Maryland, 1997), v. 1, p. 425
  6. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 931 (2005)
  7. И.В. Грехов, А.К. Козлов, С.В. Коротков и др. ПТЭ, N 1, 53 (2003)
  8. M.E. Savage. IEEE Trans. Plasma Sci., 28 (5), 1451 (2000); S. Schneider, T.F. Podlesak. IEEE Trans. Plasma Sci., 28 (5), 1520 (2000)
  9. B.R. Geil, S.B. Bayne, D. Ibitauo, M.G. Koebke. IEEE Trans. Plasma Sci., 33 (4), 1226 (2005)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках (М., Наука, 1972). [Англ. пер.: V.L. Bonch-Bruevich, I.P. Zvyagin, A.G. Mironov. Domain Electrical Instability in Semiconductors (N.Y., Consultant Bureau, 1975)]
  11. R. Stratton. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 1288 (1972)
  12. N.H. Fletcher. Proc. IRE, 45, 863 (1957)
  13. В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
  14. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Filatov. Solid-State Electron., 30, 579 (1987)
  15. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)
  16. Y.C. Gersternmaier. Proc. 6th Int. Symp. Power Semicond. Dev., ISPSD'94, ed. by W. Fichtner, A. Jaecklin (Davos, Switzerland, 1994) p. 271
  17. C. Canali, G. Majni, M. Minder, G. Ottaviani. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-22, 1045 (1975)
  18. ISE Integrated Systems Engineering AG. DESSIS Ref. Manual. http://www.stanford.edu/class/ee328/Dessis/ dessis.pdf
  19. А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  20. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 97, 103 715 (2005)
  21. G.K. Wachutka. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 9, 1141 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme