"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диода
Горбатюк А.В.1, Серков Ф.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом p-i-n-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта --- формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J>300-500 А/см2. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 1018 см-3. PACS: 44.10.+i, 85.30.Kk, 85.30.Mn
  • А.В. Горбатюк, К.В. Игумнов. Письма ЖТФ, 34, 58 (2008)
  • А.В. Горбатюк, И.Е. Панайотти. Письма ЖТФ, 32, 37 (2006)
  • Ж.И. Алферов, А.И. Уваров. Электричество, N 5, 46 (1963)
  • А.И. Бараненков, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 1, 63 (1972)
  • И.В. Грехов, А.Е. Отблеск. ЖТФ, 54, 1787 (1984)
  • В.П. Сондаевский, В.И. Стафеев. В сб.: Физика p-n-переходов (Рига 1966). с. 83
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Solid-State Electron., 51, 955 (2007)
  • I.V. Grekhov. Proc. 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. (Baltimore, Maryland, 1997), ed. by G. Cooperstein, I. Vitkovsky, v. 1, p. 425
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 931 (2005)
  • И.В. Грехов, А.К. Козлов, С.В. Коротков и др. ПТЭ, N 1, 53 (2003)
  • IEEE Trans. Plasma Sci. (special issue), 28 (5), (2000): M.E. Savage, p. 1451; S. Schneider, T.F. Podlesak, p. 1520
  • B.R. Geil, S.B. Bayne, D. Ibitauo, M.G. Koebke. IEEE Trans. Plasma Sci., 33, 1226 (2005)
  • А.В. Горбатюк, Ф.Б. Серков. ФТП, 43 (8), 1065 (2009)
  • N.H. Fletcher. Proc. IRE, 45, 863 (1957)
  • В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
  • T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Filatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  • Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)
  • ISE Integrated Systems Engineering AG. DESSIS Ref. Manual. http://www.stanford.edu/class/ee328/Dessis/dessis.pdf
  • D.B.M. Klaasen. Solid-State Electron., 35, 961 (1992)
  • А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др. Физические величины. Справочник под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.