"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs
Калыгина В.М.1, Слюнько Е.С.1
1Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Проведен анализ электрических характеристик p+-i-n+-структур на основе двух типов эпитаксиальных слоев GaAs: структуры с i-слоем на основе нелегированного GaAs и i-слоем на основе GaAs : Cr. Прямые токи диодов первого типа обусловлены рекомбинацией в области пространственного заряда. Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 10-15 В определяются генерационной составляющей тока. При |U|>20 В рост тока обусловлен эффектом Пула-Френкеля, который с увеличением напряжения сменяется туннелированием электронов через вершину потенциального барьера, облегченным электрон-фононным взаимодействием. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p+-i-n+-диодов с i-слоем на основе GaAs : Cr объясняются монополярной инжекцией в полупроводник, которая с увеличением напряжения сменяется двойной инжекцией. Обратные вольт-амперные характеристики линейны в интервале 1-15 В; при |U|>20 В рост тока вызван ударной ионизацией. PACS: 71.55.Eq, 73.20.Hb, 73.40Kp
  • В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во "НЛТ", 2000)
  • С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТП, 39, 1907 (1997)
  • П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка, А.В. Пипинене. ФТП, 35, 188 (2001)
  • В. Карпус, В.И. Перель. ЖТФ, 91, 2319 (1986)
  • S.D. Ganichev, E. Ziemann, Th. Gleim, W. Prettl, I.N. Yassievich, V.I. Perel, I. Wilke, E.E. Haller. Phys. Rev. Lett., 80, 2409 (1998)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.