"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание фоточувствительных структур на их основе
Боднарь И.В.1, Павлюковец С.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn2S4. Созданы первые фоточувствительные структуры In(Al)/FeIn2S4. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn2S4 формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях. PACS: 72.40.+w, 85.60.Gz, 81.05.Hd
  • B.Ch. Bairamov, V.Yu. Rud, Yu.V. Rud. MRS Bulletin, 23, 91 (1998)
  • H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 38, 164 (2004)
  • J.S. Blakemore. Semiconductor Statistic (N.Y., Pergamon Press, 1962)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.