"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1, Сужеделис А.1, Школьник А.С.2,3, Михрин С.С.3, Михрин В.С.3
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Иннолюм, Дортмунд, Германия
Поступила в редакцию: 18 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей Inx и Iny в составе полупроводников, образующих квантовые ямы InxAl1-xAs/InyGa1-yAs. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах InyGa1-yAs от состава введенных в квантовые ямы InxAl1-xAs-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли Inx в составе барьеров. PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.63.Hs, 63.20.kd, 63.22.-m
  • Ю. Пожела, К. Пожела, Р. Рагуотис, В. Юцене. ФТП, 43 (9), 1217 (2009)
  • B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 5899 (1982)
  • Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41 (9), 1093 (2007) [Semiconductors, 41 (9), 1074 (2007)]
  • J. Pozela, V. Juciene, K. Pozela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1555 (1995)
  • L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
  • N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  • B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors" (Berlin, 1996) (Singapure, World Scientific, 1996) p. 1807
  • Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, С. Балакаускас, И.П. Евтихиев, А.С. Школьник, Ю. Стороста, А. Мекис. ФТП, 41, 1460 (2007)
  • G.I. Ng, D. Pavlidis, V. Quillec, V.J. Chan, M.D. Jaffe, J. Singh. Appl. Phys. Lett., 52, 728 (1988)
  • C.C. Eugster, T.P.E. Broekaert, J.A. del Alamo, C.G. Fonstad. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 707 (1991)
  • T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki. IEEE Electron. Dev. Lett., 13, 325 (1992)
  • Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
  • В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галлиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009)
  • J. Pozela, K. Pozela, A. Suziedelis, V. Juciene, V. Petkun. Acta Phys. Poln. A, 113, 989 (2008)
  • H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
  • Insook Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  • M. Ilegems, G.L. Pearson. Phys. Rev. B, 1, 1576 (1970)
  • B. Jusserand, A.J. Sapriel. Phys. Rev. B, 24, 7194 (1981)
  • Z.C. Feng, S. Perkowitz, D.K. Kinell, R.L. Whitney, D.N. Talwar. Phys. Rev. B, 47, 13 466 (1993)
  • Ю. Питер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) с. 128, 129 и 209
  • T.P. Pearsall, R. Carles, J.S. Portal. Appl. Phys. Lett., 42, 436 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.