"Физика и техника полупроводников"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5 6
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием

Абдуев А.Х.¹, Ахмедов А.К.¹, Асваров А.Ш.¹, Абдуллаев А.А.¹, Сульянов С.Н.²

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
²Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 3 марта 2009 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Прозрачные проводящие пленки ZnO, легированные галлием, получены на стеклянных подложках методом магнетронного распыления проводящих керамических мишеней. Проведены исследования зависимости структурных, электрических, оптических характеристик пленок ZnO : Ga от температуры подложки в ходе осаждения. Рассмотрена стабильность удельного сопротивления пленок при отжиге на воздухе. Обнаружено, что минимальное удельное сопротивление 3.8·10^-4 Ом·см имеют пленки, осажденные при температуре подложки 250^oC, а наибольшей термостабильностью обладают пленки, осажденные при 200^oC.

W. Beyer, J. Hupkes, H. Stiebig. Thin Sol. Films, 516, 147 (2007)

V. Sabayev, D. Aronov, L. Oster, G. Rosenman. Appl. Phys. Lett., 93, 144 104 (2008)

А.А. Сердобинцева, А.Г. Веселов, О.А. Кирясова. ФТП, 42 (4), 496 (2008)

И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1984)

А.Н. Георгобиани. УФН. 113, 129 (1974)

T. Minami, H. Sato, H. Nanto, S. Takata. Jpn. J. Appl. Phys., 24, L781 (1985)

N.M. Sbrockey, Sh. Ganesan. III-Vs Review, 17 (7), 23 (2004)

T. Ohgaki, N. Ohashi, H. Kakemoto, S. Wada, Y. Adachi, H. Haneda, T. Tsurumi. J. Appl. Phys., 95 (4), 1961 (2003)

N.R. Aghamalyan, E.A. Kafadaryan, R.K. Hovsepyan, S.I. Petrosyan. Semicond. Sci. Technol., 20, 80 (2005)

О.А. Новодворский, Л.С. Горбатенко, В.Я. Панченко, О.Д. Храмова, Е.А. Черебыло, К. Венцель, Й.В. Барта, В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев. ФТП, 43 (4), 439 (2009)

H. Gomez, A. Maldonado, M. de la L. Olvera, D.R. Acosta. Sol. Energy Mater \& Solar Cells, 87, 107 (2005)

M. Miyazaki, K. Sato, A. Mitsui, H. Nishimura. J. Non-Cryst. Sol., 218, 323 (1997)

И.М. Гранкин, Г.И. Кальная, В.К. Лопушенко. ЖТФ, 53 (9), 1754 (1983)

А. Гинье. Рентгенография кристаллов. Теория и практика (М., Физматгиз, 1961)

M. Chen, Z.I. Pei, X. Wang, C. Sun, L.S. Wen. J. Vac. Sci. Technol. A, 19 (3), 963 (2001)

W.W. Wang, X.G. Diao, Z. Wang, M. Yang, T.M. Wang, Z. Wu. Thin Sol. Films, 491, 54 (2005)

K.H. Kim, K.C. Park, D.Y. Ma. J. Appl. Phys., 81 (12), 7764 (1997)

K. Ellmer. J. Phys. D.: Appl. Phys., 34, 3097 (2001)

M.H. Yoon, S.H. Lee, H.L. Park, H.K. Kim, M.S. Jang. J. Mater. Sci. Lett., 21, 1703 (2002)

R. Wang, A.W. Sleight, D. Cleary. Chem. Mater., 8 (2), 433 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель