Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs выращены наноструктуры, содержащие жертвенный слой ZnMgSSe толщиной 10 нм и напряженный бислой ZnSSe/ZnSe толщиной 20 нм. Жертвенный слой был удален селективным травлением, в результате чего были сформированы микротрубки ZnSSe/ZnSe с многослойными стенками.
V.Ya. Prinz, V.A. Seleznev, A.K. Gutakovsky et al. Physica E, 6, 828 (2000)
V.Ya. Prinz, A.V. Chehovskiy, V.V. Preobrazenskii, B.R. Semyagin, A.K. Gutakovsky. Nanotechnology, 13, 231 (2002)
V.Ya. Prinz. Microelectron. Eng., 69, 466 (2003)
S.V. Golod, V.Y. Prinz, V.I. Mashanov, A.K. Gutakovsky. Semicond. Sci. Technol., 16, 181 (2001)
Y.V. Nastaushev, V.Y. Prinz, S.N. Svitasheva. Nanotechnology, 16, 908 (2005)
V. Luchnikov, M. Stamm. Physica E, 37, 236 (2007)
V.M. Fomin, A.N. Shiplyuk, V.M. Aniskin, A.A. Maslov, V.V. Pa, V.Ya. Prinz, V.A. Seleznev. Doklady Physics, 51, 132 (2006)
O.G. Schmidt, N. Schmarje, C. Deneke, C. Muller, N.Y. Jin-Phillipp. Adv. Mater., 13, 756 (2001)
O. Schumacher, S. Mendach, H. Welsch, A. Schramm, C. Heyn, W. Hansen. Appl. Phys. Lett., 86, 143 109 (2005)
V.Y. Prinz, S.V. Golod. J. Appl. Mech. Tech. Phys., 47, 867 (2006)
S.V. Golod, V.Y. Prinz, P. Wagli, L. Zhang, O. Kirfel, E. Deckhardt, F. Glaus, C. David, D. Grutzmacher. Appl. Phys. Lett., 84, 3391 (2004)
A.O. Zabezhaylov, S.V. Alishev, R.A. Mironov, S.A. Vasiliev, M.V. Grekov, E.M. Dianov. Proc. 16th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Vladivostok, Russia, 2008) p. 23
S.V. Alyshev, A.O. Zabezhaylov, R.A. Mironov, V.I. Kozlovsky, E.M. Dianov. Proc. 16th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Vladivostok, Russia, 2008) p. 19
A. Balocchi, A. Curran, T.C.M. Graham, C. Bradford, K.A. Prior, R.J. Warburton. Appl. Phys. Lett., 86, 763 (2005)
А.О. Забежайлов. Автореф. канд. дис. (М., НЦВО РАН, 2008)
C. Bradford, C.B. O'Donnell, B. Urbaszek, A. Balocchi, C. Morhain, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., 76, 3929 (2000)
G.G. Stoney. Proc. Royal. Soc. A, 82, 172 (1999)
Y.C. Tsui, T.W. Clyne. Thin. Sol. Films, 306, 23 (1997)