"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния
Голоденко А.Б.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Рассмотрен способ построения фрактальной модели некристаллического твердого вещества на примере аморфного кремния. В системах итерационных функций аргументам придается физический смысл диэдрических (двугранных) и валентных углов элементарной кристаллографической ячейки. Адекватность модели оценена по радиальной функции распределения, плотности атомной структуры, распределения валентных и диэдрических углов, плотности оборванных межатомных связей.
  • П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. Физика твердого тела (М., Высш. шк., 2000)
  • Введение в математическое моделирование (М., ЛОГОС, 2004)
  • Р.М. Кроновер. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории (М., Постмаркет, 2000)
  • Б. Мандельброт. Фрактальная геометрия природы (М., Ин-т компьютерных исследований, 2002)
  • Аморфные и поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1987)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 2
  • А.Б. Голоденко. Фрактальное моделирование атомной структуры аморфного полупроводника (Воронеж, ВГТА, 2007)
  • В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, 1991)
  • Mousseau Normand, Lewis Laurent J. Phys. Rev. Lett., 78, 1484 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.