Впервые с помощью комплекса адмиттансной спектроскопии в широком интервале температур 6-300 K исследовались светоизлучающие гетероструктуры с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. В спектрах проводимости обнаружены три пика, соответствующие эмиссии носителей заряда из квантовых ям и из точечных дефектов, распределенных в объеме полупроводника. Два низкотемпературных пика обладают аномальным поведением: пик с малым значением наблюдаемой энергии активации (17 мэВ) оказывается смещенным в область больших температур по сравнению с более высокоэнергетичным пиком (30 мэВ). Последний ассоциируется с объемным дефектом, имеющим аномально большое сечение захвата sigman=1.5·10-11 см2.
S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys., 87, 965 (2000)
В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожановский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39, 886 (2005)
О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, А.В. Соломонов. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2008) с. 181
О.В. Кучерова, В.И. Зубков. Тез. докл. 3-й Всеросс. конф. по наноматериалам НАНО 2009. Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. (Екатеринбург, Уральское изд-во, 2009) с. 566
В.И. Зубков. ФТП, 41 (3), 331 (2007)
D.V. Singh, K. Rim, T.O. Mitchell, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 85, 985 (1999)
D.J. Kim. J. Appl. Phys., 88, 1929 (2000)
K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rucker, H.G. Grimmeiss, H. Frankenfeld, W. Mehr, H.J. Osten, P. Schley, H.P. Zeindl. Phys. Rev. B, 50, 14 287 (1994)
В.И. Зубков, Ким Ха Ен, А.А. Копылов, А.В. Соломонов. ФТП, 25, 2163 (1991)
А.В. Соломонов. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000)
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Properties of advanced semiconuctors materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (Wiley-IEEE, 2001)
W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68, 3144 (1996)
C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N.D. Zakharov, D. Bimberg, P. Werner. Phys. Rev. B, 60 14 265 (1999)