Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Использование кластерных вторичных ионов Ge₂^-, Ge₃^- для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС

Дроздов М.Н.¹, Дроздов Ю.Н.¹, Лобанов Д.Н.¹, Новиков А.В.¹, Юрасов Д.В.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждаются новые возможности повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF.SIMS-5. С использованием оптического профилометра Talysurf CCI-2000 для контроля формы и шероховатости дна кратера распыления проведен детальный анализ вкладов артефактов ионного распыления и аппаратурных эффектов в разрешение по глубине. Установлено, что использование ионов Cs⁺ для распыления позволяет минимизировать развитие шероховатости при послойном анализе структур GeSi/Si вплоть до глубины 1-1.5 мкм. Показано, что использование вторичных кластерных ионов Ge₂^- и Ge₃^- вместо Ge₁^- и Ge⁺ позволяет снизить величину переходных областей в регистрируемых профилях.

S. Hofmann. J. Vac. Sci. Technol., A, 9, 1466 (1991)
S. Hofmann. Rep. Progr. Phys., 61, 827 (1998)
М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Письма ЖТФ, 27(3), 59 (2001)
S. Hofmann. Appl. Surf. Sci., 241, 113 (2005)
L.V. Vaeck, A. Adriaens, R. Gijbels. Mass Spectrometry Rev., 18, 1 (1999)
T. Grehl, R. Mollers, E. Niehuis. Appl. Surf. Sci., 203-204, 277 (2003)
D. Simons, K. Kim, R. Benbalagh, J. Bennett, A. Chew, D. Gehre, T. Hasegawa, C. Hitzman, J. Ko, R. Lindstrom, B. MacDonald, C. Magee, N. Montgomery, P. Peres, P. Ronsheim, S. Yoshikawa, M. Schuhmacher, W. Stockwell, D. Sykes, M. Tomita, F. Toujou, J. Won. Appl. Surf. Sci., 252, 7232 (2006)
T. Grehl, R. Mollers, E. Niehuis, D. Rading. Appl. Surf, 255, 1404 (2008)
P. Chakraborty. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 266, 1858 (2008)
K. Wittmaack. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2776 (1998)
V.K.F. Chia, G.R. Mount, M.J. Edgell, C.W. Magee. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 2345 (1999)
W. Vandervorst. Appl. Surt. Sci., 255, 805 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель