Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция в области длин волн 1.5-1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bynkyo-ku, Tokyo 11, Japan
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bynkyo-ku, Tokyo 11, Japan
Поступила в редакцию: 25 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации.
- L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
- P.T. Landsberg. Sol. St. Electron., 10, 513 (1967)
- А.В. Яхневич. ФТТ, 7, 259 (1965)
- R.J. Spry, W.D. Compton. Phys. Rev., 175, 1010 (1968)
- S.G. Cloutier, P.A. Kossyrev, J. Xu. Nature Materials, 4, 887 (2005)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачёв. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
- V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
- M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, X. Yu. Phys. Status Solidi A, 203, 802 (2006)
- A.A. Shklyaev, S. Nobuki, S. Uchida, Y. Nakamura, M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., 88, 121 919 (2006)
- A.A. Shklyaev, S.P. Cho, Y. Nakamura, N. Tanaka, M. Ichikawa. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 136 004 (2007)
- A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 62, 1540 (2000)
- А.А. Шкляев, М. Ичикава. УФН, 178, 139 (2008)
- A.A. Shklyaev, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 65, 045 307 (2002)
- Н.В. Сибирев, В.Г. Талалаев, А.А. Тонких, Г.Э. Цыплин, В.Г. Дубровский, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП, 40, 230 (2006)
- М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров. ФТП, 42, 311 (2008)
- A.A. Shklyaev, Y. Nakamura, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 101, 033 532 (2007)
- A.T. Blumenau, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, T. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 87, 187 404 (2001)
- W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- R.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ РАН, 1997)
- M. Fukuda. Optical semiconductor devices (N.Y., John Wiley \& Sons, 1999)
- A.A. Shklyaev, Y. Nakamura, F.N. Dultsev, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 105, 063 513 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
