"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых gamma-облучению 60Co
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Конакова Р.В.1, Миленин В.В.1, Свешников Ю.Н.3, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Рассмотрено влияние ионизирующего излучения gamma-квантами 60Co в диапазоне доз 104-2·109 рад на контакты металл--полупроводник Au-ZrBx-AlGaN/GaN и Au-TiBx-Al-Ti-n-GaN, а также диодов Шоттки Au-ZrBx-n-GaN. Контакты с диффузионными барьерами TiBx и ZrBx при воздействии ионизирующей радиации не деградируют до доз =<sssim108 рад. Диоды Шоттки Au-ZrBx-n-GaN остаются стабильными в диапазоне доз 104-106 рад. С увеличением дозы облучения >~=108 рад возрастает дефектность контактной металлизации, сопровождающаяся образованием сквозных пор, что способствует скоплению кислорода на границах раздела Au-ZrBx(TiBx) и возрастанию массопереноса атомов контактообразующих слоев. При этом наблюдается радиационная деградация диодов Шоттки. Проанализированы возможные механизмы радиационного повреждения контактных структур с диффузионными барьерами.
  • I. Shalich, Y. Shapira. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (5), 2477 (2000)
  • L. Woss, R. Khanna, S.J. Pearton, F. Ren, I.I. Kravchenko. Appl. Surf. Sci., 253, 1255 (2006)
  • О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС (Харьков, НТК "Институт монокристаллов", 2008)
  • М.С. Ковальченко, В.В. Огородников, Ю.Н. Роговой, А.Г. Крайний. Радиационные повреждения тугоплавких соединений (М., Атомиздат, 1979)
  • Л.С. Палатник, П.Г. Черемской, М.Я. Фукс. Поры в пленках (М., Энергоиздат, 1982)
  • О.В. Соболь. Оборудование и технологии термической обработки металлов и сплавов (Харьков, ННЦ ХФТИ, ИПЦ "Контраст", 2004) ч. II
  • Б. Келли. Радиационные повреждения твердых тел (М., Атомиздат, 1970)
  • M.A. Nickolet. Microelectron. Engin., 55, 357 (2001)
  • Р.А. Андриевский. Успехи химии, 74 (12), 1163 (2005)
  • А.П. Шпак, П.Г. Черемской, Ю.А. Куницкий, О.В. Соболь. Кластерные и наноструктурные материалы (Киев, Академпериодика, 2005) т. 3
  • Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  • А.П. Мамонтов, И.П. Чернов. Эффект малых доз ионизирующего излучения (М., Энергоатомиздат, 2001)
  • О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова, В.Г. Литовченко, Ю.А. Тхорик, В.И. Шаховцев. Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- (Киев, ИФ АН УССР, 1986) Препринт N 6
  • A.E. Belyaev, Yu. Breza, E.F. Venger, M. Vesely, I.Yu. Il'in, R.V. Konakova, J. Liday, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, Yu.A. Tkhorik. Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices (Kiev, "Interpres LTD" 1998) p. 127
  • Г.Е. Чайка, И.К. Синищук, Ф.К. Шишияну. ФТП, 19 (4), 674 (1985)
  • Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1978)
  • И.Н. Францевич, Р.Ф. Войтович, В.А. Лавренко. Высокотемпературное окисление металлов и сплавов (Киев, Изд-во техн. лит. УССР, 1963)
  • Т.И. Серебрякова, В.А. Неронов, П.Д. Пешев. Высокотемпературные бориды (М., Металлургия, Челяб. отд-ние, 1991)
  • A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov. SPQEO, 10 (4), 1 (2007)
  • B. Luo, J.W. Jonson, F. Ren, K.K. Allums, C.R. Abernathy, J. Pearton, A.M. Dabiran, A.M. Wowchak, J. Polley, P.P. Chow, D. Shoenfild, A.G. Baka. Appl. Phys. Lett., 80 (4), 604 (2002)
  • O. Aktas, A. Kuliev, V. Kumar, R. Shwindt, S. Toshkov, D. Costech, J. Stubbins, I. Adesida. Sol. St. Electron., 48 (3), 471 (2004)
  • G.A. Umana-Membreno, J.M. Dell, T.P. Hassler, B.D. Nener, G. Parish, L. Faraone, U.K. Mashra. Appl. Phys. Lett., 80 (23), 4354 (2002)
  • N.M. Shmidt, D.V. Davydov, V.V. Emtsev, I.L. Krestnikov, A.A. Lebedev, W.M. Lundin, D.S. Poloskin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, A.V. Osinsky. Phys. Status Solidi B, 216 (1), 533 (1999)
  • Z.-Q. Fang, J.W. Hemsky, D.C. Look, M.P. Mack. Appl. Phys. Lett., 72 (4), 448 (1998)
  • В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1985)
  • J.W. Hsu, M.J. Manfra, D.V. Lang, S. Richter, S.N.G. Chu, A.M. Sergent, R.N. Kleiman, L.N. Pfeiffer, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1685 (2001)
  • J.R. Hayes, D.-W. Kim, H. Meidia, S. Mahajan. Acta Mater., 51 (3), 653 (2003)
  • R. Khanna, S.J. Pearton, F. Ren, I. Kravchenko, C.J. Kao, G.C. Chi. Appl. Phys. Lett., 87, 052 110 (2005)
  • S.A. Vitusevich, N. Klein, A.E. Belyaev, S.V. Danylyk, M.V. Petrychuk, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, A.E. Rengevich, A.Yu. Avksentiev, B.A. Danylchenko, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 719, 133 (2002)
  • S.A. Vitusevich, N. Klein, A.E. Belyaev, S.V. Danylyk, M.V. Petrychuk, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, A.E. Rengevich, A.Yu. Avksentiev, B.A. Danylchenko, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, L.F. Eastman. Phys. Status Solidi A, 195 (1), 101 (2003)
  • S.A. Vitusevich, N. Klein, A.E. Belyaev, S.V. Danylyk, M.V. Petrychuk, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, P.M. Lytvyn, A.Yu. Avksentiev, B.A. Danylchenko, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 764, 183 (2003).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.